Semicera の 4 インチ N 型 SiC 基板は、半導体業界の厳しい基準を満たすように作られています。これらの基板は、幅広い電子アプリケーションに高性能の基盤を提供し、優れた伝導性と熱特性を提供します。
これらの SiC 基板の N 型ドーピングにより導電性が向上し、高出力および高周波アプリケーションに特に適しています。この特性により、エネルギー損失を最小限に抑えることが重要であるダイオード、トランジスタ、アンプなどのデバイスの効率的な動作が可能になります。
Semicera は最先端の製造プロセスを利用して、各基板が優れた表面品質と均一性を示すことを保証します。この精度は、パワー エレクトロニクス、マイクロ波デバイス、および極端な条件下で信頼性の高いパフォーマンスが要求されるその他のテクノロジーのアプリケーションにとって非常に重要です。
Semicera の N 型 SiC 基板を生産ラインに組み込むことは、優れた放熱性と電気的安定性を提供する材料の恩恵を受けることを意味します。これらの基板は、電力変換システムや RF アンプなど、耐久性と効率が必要なコンポーネントの作成に最適です。
Semicera の 4 インチ N 型 SiC 基板を選択することは、革新的な材料科学と細心の注意を払った職人技を組み合わせた製品に投資していることになります。セミセラは、最先端の半導体技術の開発をサポートし、高いパフォーマンスと信頼性を保証するソリューションを提供することで業界をリードし続けます。
| アイテム | 生産 | 研究 | ダミー |
| クリスタルパラメータ | |||
| ポリタイプ | 4H | ||
| 面方位エラー | <11-20 >4±0.15° | ||
| 電気的パラメータ | |||
| ドーパント | n型窒素 | ||
| 抵抗率 | 0.015～0.025Ω・cm | ||
| 機械的パラメータ | |||
| 直径 | 150.0±0.2mm | ||
| 厚さ | 350±25μm | ||
| プライマリフラット方向 | [1-100]±5° | ||
| 一次平坦長さ | 47.5±1.5mm | ||
| 二次フラット | なし | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
| 弓 | -15μm～15μm | -35μm～35μm | -45μm～45μm |
| ワープ | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| 表面(Si面)粗さ(AFM) | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 構造 | |||
| マイクロパイプ密度 | <1ea/cm2 | <10ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| 金属不純物 | ≤5E10原子/cm2 | NA | |
| 境界性パーソナリティ障害 | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| フロント品質 | |||
| フロント | Si | ||
| 表面仕上げ | Si面CMP | ||
| 粒子 | ≤60ea/ウェーハ (サイズ≧0.3μm) | NA | |
| 傷 | ≤5ea/mm。累積長さ ≤ 直径 | 累積長さ≤2*直径 | NA |
| オレンジの皮/穴/汚れ/縞模様/ひび割れ/汚染 | なし | NA | |
| エッジ欠け/圧痕/欠損/六角プレート | なし | ||
| ポリタイプ領域 | なし | 累積面積≤20% | 累積面積≤30% |
| 前面レーザーマーキング | なし | ||
| バック品質 | |||
| 裏面仕上げ | C面CMP | ||
| 傷 | ≤5ea/mm、累積長さ≤2*直径 | NA | |
| 裏面欠陥（エッジ欠け/凹み） | なし | ||
| 裏面粗さ | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 背面のレーザーマーキング | 1mm（上端から） | ||
| 角 | |||
| 角 | 面取り | ||
| 包装 | |||
| 包装 | 真空包装でエピ対応可能 マルチウエハカセットパッケージング | ||
| ※注：「NA」は要望なしを意味します。 記載のない項目についてはSEMI-STDを参照している可能性があります。 | |||
