SiCウエハーボート
炭化ケイ素ウェーハボートは、主に太陽光発電および半導体の拡散プロセスで使用されるウェーハ用の耐荷重装置です。耐摩耗性、耐食性、高温衝撃耐性、プラズマ衝撃耐性、高温支持能力、高熱伝導率、高放熱性、長期使用でも曲げ変形しにくいなどの特徴を持っています。当社は耐用年数を確保するために高純度の炭化ケイ素材料を使用し、以下のようなカスタマイズされた設計を提供します。縦横いろいろウエハーボート.
SiCパドル
の炭化ケイ素カンチレバーパドル主にシリコンウェーハの（拡散）コーティングに使用され、高温でのシリコンウェーハの積載および輸送において重要な役割を果たします。の重要なコンポーネントです半導体ウエハローディング システムであり、次の主な特徴があります。
1. 高温環境でも変形せず、ウェーハへの負荷力が高くなります。
2.極寒や急熱に強く、長寿命です。
3. 熱膨張係数が小さいため、メンテナンスと洗浄サイクルが大幅に延長され、汚染物質が大幅に削減されます。
SiC炉管
炭化ケイ素プロセスチューブ金属不純物を含まない高純度SiCで作られており、ウェハを汚染せず、半導体や太陽光発電の拡散、アニール、酸化プロセスなどのプロセスに適しています。
SiCロボットアーム
SiCロボットアームは、ウェーハ移送エンドエフェクタとしても知られ、半導体ウェーハを輸送するために使用されるロボット アームであり、半導体、オプトエレクトロニクス、および太陽エネルギー産業で広く使用されています。高純度の炭化ケイ素を使用し、高硬度、耐摩耗性、耐震性、変形せずに長期間使用でき、長寿命などのカスタマイズされたサービスを提供できます。
結晶成長用グラファイト
グラファイトヒートシールド
黒鉛電極管
グラファイトディフレクター
グラファイトチャック
半導体結晶の成長に使用されるすべてのプロセスは、高温で腐食性の環境で行われます。結晶成長炉のホットゾーンには、通常、耐熱性、耐腐食性の高い純度のものが使用されます。グラファイトヒーター、るつぼ、シリンダー、デフレクター、チャック、チューブ、リング、ホルダー、ナットなどのグラファイトコンポーネント 当社の最終製品は、5ppm未満の灰分を達成できます。
半導体エピタキシー用グラファイト
グラファイトベース
グラファイトエピタキシャルバレル
単結晶スタリンシリコンエピタキシャルベース
MOCVDグラファイト部品
半導体グラファイト治具
エピタキシャルプロセスとは、基板と同じ格子配列を有する単結晶基板上に単結晶材料を成長させることを指します。多くの超高純度グラファイト部品とSICコーティングを施したグラファイトベースが必要です。半導体エピタキシーに使用される高純度グラファイトは幅広い用途があり、業界で最も一般的に使用されている装置に適合すると同時に、非常に高い性能を持っています。純度、均一なコーティング、優れた耐用年数、非常に高い耐薬品性と熱安定性を備えています。
断熱材他
半導体製造に使用される断熱材は、黒鉛ハードフェルト、ソフトフェルト、黒鉛箔、炭素複合材料などです。当社の原材料は輸入黒鉛材料であり、顧客の仕様に応じて切断でき、断熱材として販売することもできます。全体。炭素複合材料は通常、太陽電池の単結晶およびポリシリコン電池の製造プロセスのキャリアとして使用されます。