Semicera の 4”6” 高純度半絶縁性 SiC インゴットは、半導体業界の厳しい基準を満たすように設計されています。これらのインゴットは純度と一貫性に重点を置いて製造されており、パフォーマンスが最重要視される高出力および高周波用途に理想的な選択肢となっています。
高い熱伝導率や優れた電気抵抗率など、これらの SiC インゴットのユニークな特性により、パワー エレクトロニクスやマイクロ波デバイスでの使用に特に適しています。半絶縁性により効果的な熱放散と最小限の電気干渉が可能になり、コンポーネントの効率と信頼性が向上します。
Semicera は最先端の製造プロセスを採用し、優れた結晶品質と均一性を備えたインゴットを製造します。この精度により、各インゴットを高周波増幅器、レーザー ダイオード、その他の光電子デバイスなどの繊細な用途で確実に使用できることが保証されます。
4 インチと 6 インチの両方のサイズが用意されているセミセラの SiC インゴットは、さまざまな生産規模や技術要件に必要な柔軟性を提供します。研究開発用でも大量生産用でも、これらのインゴットは現代の電子システムが要求するパフォーマンスと耐久性を提供します。
Semicera の高純度半絶縁性 SiC インゴットを選択することにより、高度な材料科学と比類のない製造専門知識を組み合わせた製品に投資することになります。セミセラは、最先端の電子デバイスの開発を可能にする材料を提供し、半導体産業の革新と成長をサポートすることに専念しています。
| アイテム | 生産 | 研究 | ダミー |
| クリスタルパラメータ | |||
| ポリタイプ | 4H | ||
| 面方位エラー | <11-20 >4±0.15° | ||
| 電気的パラメータ | |||
| ドーパント | n型窒素 | ||
| 抵抗率 | 0.015～0.025Ω・cm | ||
| 機械的パラメータ | |||
| 直径 | 150.0±0.2mm | ||
| 厚さ | 350±25μm | ||
| プライマリフラット方向 | [1-100]±5° | ||
| 一次平坦長さ | 47.5±1.5mm | ||
| 二次フラット | なし | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
| 弓 | -15μm～15μm | -35μm～35μm | -45μm～45μm |
| ワープ | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| 表面(Si面)粗さ(AFM) | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 構造 | |||
| マイクロパイプ密度 | <1ea/cm2 | <10ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| 金属不純物 | ≤5E10原子/cm2 | NA | |
| 境界性パーソナリティ障害 | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| フロント品質 | |||
| フロント | Si | ||
| 表面仕上げ | Si面CMP | ||
| 粒子 | ≤60ea/ウェーハ (サイズ≧0.3μm) | NA | |
| 傷 | ≤5ea/mm。累積長さ ≤ 直径 | 累積長さ≤2*直径 | NA |
| オレンジの皮/穴/汚れ/縞模様/ひび割れ/汚染 | なし | NA | |
| エッジ欠け/圧痕/欠損/六角プレート | なし | ||
| ポリタイプ領域 | なし | 累積面積≤20% | 累積面積≤30% |
| 前面レーザーマーキング | なし | ||
| バック品質 | |||
| 裏面仕上げ | C面CMP | ||
| 傷 | ≤5ea/mm、累積長さ≤2*直径 | NA | |
| 裏面欠陥（エッジ欠け/凹み） | なし | ||
| 裏面粗さ | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 背面のレーザーマーキング | 1mm（上端から） | ||
| 角 | |||
| 角 | 面取り | ||
| 包装 | |||
| 包装 | 真空包装でエピ対応可能 マルチウエハカセットパッケージング | ||
| ※注：「NA」は要望なしを意味します。 記載のない項目についてはSEMI-STDを参照している可能性があります。 | |||
