炭化ケイ素 (SiC) 単結晶材料は、広いバンドギャップ幅 (~Si の 3 倍)、高い熱伝導率 (~Si 3.3 倍または GaAs の 10 倍)、高い電子飽和移動速度 (~Si 2.5 倍)、高い電気絶縁破壊を備えています。磁場（約Si 10倍またはGaAs 5倍）およびその他の優れた特性。
第 3 世代の半導体材料には、バンドギャップ幅 (Eg) が 2.3 電子ボルト (eV) 以上であるため、SiC、GaN、ダイヤモンドなどが主に含まれており、ワイドバンドギャップ半導体材料とも呼ばれます。第 1 世代および第 2 世代の半導体材料と比較して、第 3 世代の半導体材料は、高い熱伝導率、高い絶縁破壊電界、高い飽和電子移動速度、高い結合エネルギーという利点を備えており、現代の電子技術の新しい要件を満たすことができます。温度、高出力、高圧、高周波、耐放射線性、その他の過酷な条件。国防、航空、航空宇宙、石油探査、光ストレージなどの分野で重要な応用の見通しがあり、ブロードバンド通信、太陽エネルギー、自動車製造、半導体照明やスマートグリッドの導入により、機器の体積を 75% 以上削減でき、これは人類の科学技術の発展にとって画期的な意味を持ちます。
Semicera Energy は、高品質の導電性 (導電性)、半絶縁性 (半絶縁性)、HPSI (高純度半絶縁性) 炭化ケイ素基板を顧客に提供できます。さらに、均質および異質の炭化ケイ素エピタキシャル シートを顧客に提供できます。お客様の特定のニーズに応じてエピタキシャル シートをカスタマイズすることもでき、最低注文数量はありません。
| アイテム | 生産 | 研究 | ダミー |
| クリスタルパラメータ | |||
| ポリタイプ | 4H | ||
| 面方位エラー | <11-20 >4±0.15° | ||
| 電気的パラメータ | |||
| ドーパント | n型窒素 | ||
| 抵抗率 | 0.015～0.025Ω・cm | ||
| 機械的パラメータ | |||
| 直径 | 150.0±0.2mm | ||
| 厚さ | 350±25μm | ||
| プライマリフラット方向 | [1-100]±5° | ||
| 一次平坦長さ | 47.5±1.5mm | ||
| 二次フラット | なし | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
| 弓 | -15μm～15μm | -35μm～35μm | -45μm～45μm |
| ワープ | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| 表面(Si面)粗さ(AFM) | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 構造 | |||
| マイクロパイプ密度 | <1ea/cm2 | <10ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| 金属不純物 | ≤5E10原子/cm2 | NA | |
| 境界性パーソナリティ障害 | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| フロント品質 | |||
| フロント | Si | ||
| 表面仕上げ | Si面CMP | ||
| 粒子 | ≤60ea/ウェーハ (サイズ≧0.3μm) | NA | |
| 傷 | ≤5ea/mm。累積長さ ≤ 直径 | 累積長さ≤2*直径 | NA |
| オレンジの皮/穴/汚れ/縞模様/ひび割れ/汚染 | なし | NA | |
| エッジ欠け/圧痕/欠損/六角プレート | なし | ||
| ポリタイプ領域 | なし | 累積面積≤20% | 累積面積≤30% |
| 前面レーザーマーキング | なし | ||
| バック品質 | |||
| 裏面仕上げ | C面CMP | ||
| 傷 | ≤5ea/mm、累積長さ≤2*直径 | NA | |
| 裏面欠陥（エッジ欠け/凹み） | なし | ||
| 裏面粗さ | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 背面のレーザーマーキング | 1mm（上端から） | ||
| 角 | |||
| 角 | 面取り | ||
| 包装 | |||
| 包装 | 真空包装でエピ対応可能 マルチウエハカセットパッケージング | ||
| ※注：「NA」は要望なしを意味します。 記載のない項目についてはSEMI-STDを参照している可能性があります。 | |||
