Semicera の 6 インチ N 型 SiC ウェーハは、半導体技術の最前線に立っています。最適なパフォーマンスを実現するように作られたこのウェーハは、高度な電子デバイスに不可欠な高出力、高周波、高温のアプリケーションに優れています。
当社の 6 インチ N 型 SiC ウェハは、MOSFET、ダイオード、その他のコンポーネントなどのパワーデバイスにとって重要なパラメータである高い電子移動度と低いオン抵抗を備えています。これらの特性により、効率的なエネルギー変換と発熱の削減が保証され、電子システムのパフォーマンスと寿命が向上します。
セミセラの厳格な品質管理プロセスにより、各 SiC ウェーハが優れた表面平坦性と最小限の欠陥を維持することが保証されます。この細部への細心の注意により、当社のウェーハは自動車、航空宇宙、電気通信などの業界の厳しい要件を確実に満たします。
N 型 SiC ウェハは、優れた電気的特性に加えて、堅牢な熱安定性と高温耐性を備えているため、従来の材料が故障する可能性がある環境に最適です。この機能は、高周波数および高電力動作を伴うアプリケーションで特に価値があります。
Semicera の 6 インチ N 型 SiC ウェーハを選択することは、半導体イノベーションの頂点を代表する製品に投資することになります。当社は、さまざまな業界のパートナーが技術の進歩に最適な材料を確実に利用できるように、最先端のデバイスの構成要素を提供することに尽力しています。
| アイテム | 生産 | 研究 | ダミー |
| クリスタルパラメータ | |||
| ポリタイプ | 4H | ||
| 面方位エラー | <11-20 >4±0.15° | ||
| 電気的パラメータ | |||
| ドーパント | n型窒素 | ||
| 抵抗率 | 0.015～0.025Ω・cm | ||
| 機械的パラメータ | |||
| 直径 | 150.0±0.2mm | ||
| 厚さ | 350±25μm | ||
| プライマリフラット方向 | [1-100]±5° | ||
| 一次平坦長さ | 47.5±1.5mm | ||
| 二次フラット | なし | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
| 弓 | -15μm～15μm | -35μm～35μm | -45μm～45μm |
| ワープ | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| 表面(Si面)粗さ(AFM) | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 構造 | |||
| マイクロパイプ密度 | <1ea/cm2 | <10ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| 金属不純物 | ≤5E10原子/cm2 | NA | |
| 境界性パーソナリティ障害 | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| フロント品質 | |||
| フロント | Si | ||
| 表面仕上げ | Si面CMP | ||
| 粒子 | ≤60ea/ウェーハ (サイズ≧0.3μm) | NA | |
| 傷 | ≤5ea/mm。累積長さ ≤ 直径 | 累積長さ≤2*直径 | NA |
| オレンジの皮/穴/汚れ/縞模様/ひび割れ/汚染 | なし | NA | |
| エッジ欠け/圧痕/欠損/六角プレート | なし | ||
| ポリタイプ領域 | なし | 累積面積≤20% | 累積面積≤30% |
| 前面レーザーマーキング | なし | ||
| バック品質 | |||
| 裏面仕上げ | C面CMP | ||
| 傷 | ≤5ea/mm、累積長さ≤2*直径 | NA | |
| 裏面欠陥（エッジ欠け/凹み） | なし | ||
| 裏面粗さ | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 背面のレーザーマーキング | 1mm（上端から） | ||
| 角 | |||
| 角 | 面取り | ||
| 包装 | |||
| 包装 | 真空包装でエピ対応可能 マルチウエハカセットパッケージング | ||
| ※注：「NA」は要望なしを意味します。 記載のない項目についてはSEMI-STDを参照している可能性があります。 | |||
