Semicera の 6 インチ半絶縁 HPSI SiC ウェーハは、現代の半導体技術の厳しい要求を満たすように設計されています。卓越した純度と一貫性を備えたこれらのウェーハは、高効率電子コンポーネントを開発するための信頼できる基盤として機能します。
これらの HPSI SiC ウェハは、パワー デバイスや高周波回路の性能を最適化するために重要な、優れた熱伝導性と電気絶縁性で知られています。半絶縁特性は、電気的干渉を最小限に抑え、デバイスの効率を最大化するのに役立ちます。
Semicera が採用する高品質の製造プロセスにより、各ウェーハの厚さが均一になり、表面欠陥が最小限に抑えられます。この精度は、高周波デバイス、パワーインバーター、LED システムなど、性能と耐久性が重要な要素となる高度なアプリケーションには不可欠です。
セミセラは、最先端の製造技術を活用することで、業界標準を満たすだけでなく、業界標準を超えるウェーハを提供します。 6 インチのサイズは、生産のスケールアップに柔軟性をもたらし、半導体分野の研究用途と商業用途の両方に対応します。
Semicera の 6 インチ半絶縁 HPSI SiIC ウェーハを選択することは、一貫した品質と性能を提供する製品に投資することを意味します。これらのウェーハは、革新的な素材と細心の注意を払った職人技を通じて半導体技術の能力を向上させるというセミセラの取り組みの一環です。
| アイテム | 生産 | 研究 | ダミー |
| クリスタルパラメータ | |||
| ポリタイプ | 4H | ||
| 面方位エラー | <11-20 >4±0.15° | ||
| 電気的パラメータ | |||
| ドーパント | n型窒素 | ||
| 抵抗率 | 0.015～0.025Ω・cm | ||
| 機械的パラメータ | |||
| 直径 | 150.0±0.2mm | ||
| 厚さ | 350±25μm | ||
| プライマリフラット方向 | [1-100]±5° | ||
| 一次平坦長さ | 47.5±1.5mm | ||
| 二次フラット | なし | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
| 弓 | -15μm～15μm | -35μm～35μm | -45μm～45μm |
| ワープ | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| 表面(Si面)粗さ(AFM) | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 構造 | |||
| マイクロパイプ密度 | <1ea/cm2 | <10ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| 金属不純物 | ≤5E10原子/cm2 | NA | |
| 境界性パーソナリティ障害 | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| フロント品質 | |||
| フロント | Si | ||
| 表面仕上げ | Si面CMP | ||
| 粒子 | ≤60ea/ウェーハ (サイズ≧0.3μm) | NA | |
| 傷 | ≤5ea/mm。累積長さ ≤ 直径 | 累積長さ≤2*直径 | NA |
| オレンジの皮/穴/汚れ/縞模様/ひび割れ/汚染 | なし | NA | |
| エッジ欠け/圧痕/欠損/六角プレート | なし | ||
| ポリタイプ領域 | なし | 累積面積≤20% | 累積面積≤30% |
| 前面レーザーマーキング | なし | ||
| バック品質 | |||
| 裏面仕上げ | C面CMP | ||
| 傷 | ≤5ea/mm、累積長さ≤2*直径 | NA | |
| 裏面欠陥（エッジ欠け/凹み） | なし | ||
| 裏面粗さ | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 背面のレーザーマーキング | 1mm（上端から） | ||
| 角 | |||
| 角 | 面取り | ||
| 包装 | |||
| 包装 | 真空包装でエピ対応可能 マルチウエハカセットパッケージング | ||
| ※注：「NA」は要望なしを意味します。 記載のない項目についてはSEMI-STDを参照している可能性があります。 | |||
