セミセラを紹介します850V ハイパワー GaN-on-Si エピウェーハ、半導体革新における画期的な出来事です。この高度なエピ ウェーハは、窒化ガリウム (GaN) の高効率とシリコン (Si) のコスト効率を組み合わせ、高電圧アプリケーション向けの強力なソリューションを生み出します。
主な特徴:
•高電圧の取り扱い: 最大 850V までサポートするように設計されたこの GaN-on-Si エピ ウェハは、要求の厳しいパワー エレクトロニクスに最適であり、より高い効率とパフォーマンスを実現します。
•強化された電力密度: 優れた電子移動度と熱伝導性を備えた GaN テクノロジーにより、コンパクトな設計と出力密度の向上が可能になります。
•費用対効果の高いソリューション: このエピウェーハは、基板としてシリコンを活用することで、品質や性能に妥協することなく、従来の GaN ウェーハに代わるコスト効率の高い代替品を提供します。
•幅広い応用範囲: パワーコンバータ、RFアンプ、その他の高出力電子機器での使用に最適で、信頼性と耐久性を保証します。
Semicera の高電圧技術の未来を探る850V ハイパワー GaN-on-Si エピウェーハ。最先端のアプリケーション向けに設計されたこの製品は、電子デバイスが最大限の効率と信頼性で動作することを保証します。次世代半導体のニーズにはセミセラをお選びください。
| アイテム | 生産 | 研究 | ダミー |
| クリスタルパラメータ | |||
| ポリタイプ | 4H | ||
| 面方位エラー | <11-20 >4±0.15° | ||
| 電気的パラメータ | |||
| ドーパント | n型窒素 | ||
| 抵抗率 | 0.015～0.025Ω・cm | ||
| 機械的パラメータ | |||
| 直径 | 150.0±0.2mm | ||
| 厚さ | 350±25μm | ||
| プライマリフラット方向 | [1-100]±5° | ||
| 一次平坦長さ | 47.5±1.5mm | ||
| 二次フラット | なし | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
| 弓 | -15μm～15μm | -35μm～35μm | -45μm～45μm |
| ワープ | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| 表面(Si面)粗さ(AFM) | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 構造 | |||
| マイクロパイプ密度 | <1ea/cm2 | <10ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| 金属不純物 | ≤5E10原子/cm2 | NA | |
| 境界性パーソナリティ障害 | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| フロント品質 | |||
| フロント | Si | ||
| 表面仕上げ | Si面CMP | ||
| 粒子 | ≤60ea/ウェーハ (サイズ≧0.3μm) | NA | |
| 傷 | ≤5ea/mm。累積長さ ≤ 直径 | 累積長さ≤2*直径 | NA |
| オレンジの皮/穴/汚れ/縞模様/ひび割れ/汚染 | なし | NA | |
| エッジ欠け/圧痕/欠損/六角プレート | なし | ||
| ポリタイプ領域 | なし | 累積面積≤20% | 累積面積≤30% |
| 前面レーザーマーキング | なし | ||
| バック品質 | |||
| 裏面仕上げ | C面CMP | ||
| 傷 | ≤5ea/mm、累積長さ≤2*直径 | NA | |
| 裏面欠陥（エッジ欠け/凹み） | なし | ||
| 裏面粗さ | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 背面のレーザーマーキング | 1mm（上端から） | ||
| 角 | |||
| 角 | 面取り | ||
| 包装 | |||
| 包装 | 真空包装でエピ対応可能 マルチウエハカセットパッケージング | ||
| ※注：「NA」は要望なしを意味します。 記載のない項目についてはSEMI-STDを参照している可能性があります。 | |||
