原子層堆積 (ALD) は、2 つ以上の前駆体分子を交互に注入することによって薄膜を層ごとに成長させる化学気相堆積技術です。 ALD は高い制御性と均一性という利点を持ち、半導体デバイス、光電子デバイス、エネルギー貯蔵デバイスなどの分野で広く使用できます。 ALD の基本原理には、前駆体の吸着、表面反応、副生成物の除去が含まれており、これらのステップをサイクル内で繰り返すことで多層材料を形成できます。 ALD は、高い制御性、均一性、非多孔質構造などの特徴と利点を有しており、さまざまな基板材料やさまざまな材料の成膜に使用できます。
ALD には次のような特徴と利点があります。
1. 高い制御性：ALD は層ごとの成長プロセスであるため、材料の各層の厚さと組成を正確に制御できます。
2. 均一性:ALD は、他の蒸着技術で発生する可能性のある不均一を回避し、基板表面全体に材料を均一に蒸着できます。
3. 非多孔質構造:ALD は単一原子または単一分子の単位で堆積されるため、得られる膜は通常、緻密で非多孔質の構造になります。
4.優れたカバレッジ性能:ALD は、ナノポア アレイ、高多孔性材料などの高アスペクト比構造を効果的にカバーできます。
5. スケーラビリティ:ALD は、金属、半導体、ガラスなどを含むさまざまな基板材料に使用できます。
6. 多用途性:異なる前駆体分子を選択することにより、金属酸化物、硫化物、窒化物などのさまざまな異なる材料を ALD プロセスで堆積できます。
