セミセラが提供するCVDシリコンカーバイド(SiC)リングは、半導体デバイス製造の重要な段階である半導体エッチングにおける重要なコンポーネントです。これらの CVD 炭化ケイ素 (SiC) リングの組成により、エッチング プロセスの過酷な条件に耐えることができる頑丈で耐久性のある構造が保証されます。化学蒸着は、高純度で均一かつ緻密な SiC 層の形成に役立ち、リングに優れた機械的強度、熱安定性、耐食性を与えます。
半導体製造の重要な要素として、CVD 炭化ケイ素 (SiC) リングは、半導体チップの完全性を保護する保護バリアとして機能します。その正確な設計により、均一かつ制御されたエッチングが保証され、非常に複雑な半導体デバイスの製造に役立ち、性能と信頼性が向上します。
リングの構築に CVD SiC 材料を使用することは、半導体製造における品質とパフォーマンスへの取り組みを示しています。この材料は、高い熱伝導率、優れた化学的不活性、耐摩耗性と耐食性などのユニークな特性を備えており、CVD 炭化ケイ素 (SiC) リングは半導体エッチング プロセスの精度と効率を追求する上で不可欠なコンポーネントとなっています。
Semicera の CVD 炭化ケイ素 (SiC) リングは、半導体製造分野における高度なソリューションを表しており、化学気相成長炭化ケイ素の独特の特性を利用して信頼性の高い高性能のエッチング プロセスを実現し、半導体技術の継続的な進歩を促進します。当社は、高品質で効率的なエッチングソリューションに対する半導体業界の需要を満たすために、優れた製品と専門的な技術サポートをお客様に提供することに尽力しています。
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エピタキシー成長用サセプタ
シリコン/炭化ケイ素ウェーハを電子デバイスに使用するには、複数のプロセスを経る必要があります。重要なプロセスはシリコン/SIC エピタキシーです。このプロセスでは、シリコン/SIC ウェーハがグラファイト ベース上に運ばれます。 Semicera の炭化ケイ素でコーティングされたグラファイト ベースの特別な利点には、非常に高い純度、均一なコーティング、および非常に長い耐用年数が含まれます。また、高い耐薬品性と熱安定性も備えています。
LEDチップの製造
MOCVD リアクターの広範なコーティング中に、遊星ベースまたはキャリアが基板ウェーハを移動させます。母材の性能はコーティングの品質に大きな影響を与え、ひいてはチップのスクラップ率に影響を与えます。 Semicera の炭化ケイ素でコーティングされたベースは、高品質 LED ウェーハの製造効率を高め、波長の偏差を最小限に抑えます。また、現在使用されているすべての MOCVD リアクター用に追加のグラファイト コンポーネントも供給しています。ほぼすべてのコンポーネントを炭化ケイ素コーティングでコーティングできます。コンポーネントの直径が最大 1.5M であっても、炭化ケイ素でコーティングできます。
半導体分野、酸化拡散プロセス、など。
半導体プロセスでは、酸化膨張プロセスに高い製品純度が必要です。セミセラでは、大部分の炭化ケイ素部品に対してカスタムおよび CVD コーティング サービスを提供しています。
以下の写真は、粗加工されたSemiceaの炭化ケイ素スラリーと100分間洗浄された炭化ケイ素炉管を示しています。0-レベル埃のない部屋。当社の職人は塗装前の作業を行っております。当社の炭化ケイ素の純度は99.99%に達し、SICコーティングの純度は99.99995%以上です。.
洗浄中の生の炭化ケイ素パドルと SiC プロセス チューブ
炭化ケイ素ウェーハボート CVD SiC コーティング
