エピタキシーウェーハキャリアは、半導体製造、特に半導体製造において重要なコンポーネントです。SiエピタキシーそしてSiCエピタキシープロセス。セミセラは丁寧に設計・製造しておりますウエハキャリアは極度の高温や化学環境に耐え、次のような用途で優れた性能を保証します。MOCVDサセプタそしてバレルサセプター。単結晶シリコンの堆積であっても、複雑なエピタキシープロセスであっても、セミセラのエピタキシーウェーハキャリアは優れた均一性と安定性を提供します。
セミセラさんエピタキシーウェーハキャリア優れた機械的強度と熱伝導率を備えた先進的な材料で作られており、プロセス中の損失と不安定性を効果的に低減できます。また、そのデザインは、ウエハキャリアはさまざまなサイズのエピタキシー装置にも適応できるため、全体的な生産効率が向上します。
高精度、高純度のエピタキシープロセスを必要とするお客様にとって、セミセラのエピタキシーウェーハキャリアは信頼できる選択肢です。当社は、生産プロセスの信頼性と効率を向上させるために、優れた製品品質と信頼できる技術サポートをお客様に提供することに常に取り組んでいます。
✓中国市場でトップクラスの品質
✓いつでも7*24時間、優れたサービスを提供します
✓短納期
✓少量のMOQを歓迎し受け入れます
✓カスタムサービス
エピタキシー成長用サセプタ
シリコン/炭化ケイ素ウェーハを電子デバイスに使用するには、複数のプロセスを経る必要があります。重要なプロセスはシリコン/SIC エピタキシーです。このプロセスでは、シリコン/SIC ウェーハがグラファイト ベース上に運ばれます。 Semicera の炭化ケイ素でコーティングされたグラファイト ベースの特別な利点には、非常に高い純度、均一なコーティング、および非常に長い耐用年数が含まれます。また、高い耐薬品性と熱安定性も備えています。
LEDチップの製造
MOCVD リアクターの広範なコーティング中に、遊星ベースまたはキャリアが基板ウェーハを移動させます。母材の性能はコーティングの品質に大きな影響を与え、ひいてはチップのスクラップ率に影響を与えます。 Semicera の炭化ケイ素でコーティングされたベースは、高品質 LED ウェーハの製造効率を高め、波長の偏差を最小限に抑えます。また、現在使用されているすべての MOCVD リアクター用に追加のグラファイト コンポーネントも供給しています。ほぼすべてのコンポーネントを炭化ケイ素コーティングでコーティングできます。コンポーネントの直径が最大 1.5M であっても、炭化ケイ素でコーティングできます。
半導体分野、酸化拡散プロセス、など。
半導体プロセスでは、酸化膨張プロセスに高い製品純度が必要です。セミセラでは、大部分の炭化ケイ素部品に対してカスタムおよび CVD コーティング サービスを提供しています。
以下の写真は、粗加工されたSemiceaの炭化ケイ素スラリーと100分間洗浄された炭化ケイ素炉管を示しています。0-レベル埃のない部屋。当社の職人は塗装前の作業を行っております。当社の炭化ケイ素の純度は99.98%に達し、SICコーティングの純度は99.9995%以上です。.