セミセラとはInPおよびCdTe基板、製造プロセスの特定のニーズを満たすように設計された優れた品質と精度が期待できます。太陽光発電用途でも半導体デバイスでも、当社の基板は最適な性能、耐久性、一貫性を保証するように作られています。信頼できるサプライヤーとして、セミセラは、エレクトロニクスおよび再生可能エネルギー分野のイノベーションを推進する、高品質でカスタマイズ可能な基板ソリューションを提供することに尽力しています。
結晶特性と電気的特性✽1
| タイプ | ドーパント | EPD（cm–2）（下記Aを参照） | DF（無欠陥）面積（cm2、下記B参照） | c/（c cm–3） | モビリティ（y cm2/対） | 抵抗率（y Ω・cm） |
| n | Sn | ≦5×104 ≦1×104 ≦5×103 | ────── | （0.5〜6）×1018 | ────── | ────── |
| n | S | ────── | ≧10（59.4%） ≧15（87%）.4 | （2〜10）×1018 | ────── | ────── |
| p | Zn | ────── | ≧10（59.4%） ≧15（87%）。 | （3〜6）×1018 | ────── | ────── |
| SI | Fe | ≦5×104 ≦1×104 | ────── | ────── | ────── | ≧1×106 |
| n | なし | ≦5×104 | ────── | ≦1×1016 | ≧4×103 | ────── |
✽1 他の仕様もリクエストに応じて利用可能です。
A.13 ポイント平均
1. 転位エッチピット密度を 13 点で測定します。
2. 転位密度の面積加重平均を計算します。
B.DFエリア計測（エリア保証の場合）
1. 右記69点の転位エッチピット密度をカウントします。
2. DF は 500cm 未満の EPD として定義されます。–2
3. この方法で測定した最大DFエリアは17.25cmです。2
InP単結晶基板共通仕様
1. オリエンテーション
面方位 (100)±0.2° または (100)±0.05°
ご要望に応じて、表面オフ方向の対応も可能です。
平面の向き OF : (011)±1° または (011)±0.1° IF : (011)±2°
ご要望に応じて劈開された OF も利用可能です。
2. SEMI規格に準拠したレーザーマーキングが可能です。
3. 個別包装のほか、N2ガス封入も可能です。
4. N2 ガスでのエッチング＆パックが可能です。
5. 長方形のウェーハも利用可能です。
上記仕様はJX社の規格によるものです。
その他の仕様をご希望の場合はお問い合わせください。
向き
