CVD炭化ケイ素コーティング-1

CVD SiCとは

化学蒸着 (CVD) は、高純度の固体材料を製造するために使用される真空蒸着プロセスです。このプロセスは、半導体製造分野でウェーハの表面に薄膜を形成するためによく使用されます。 CVD による SiC の準備プロセスでは、基板は 1 つ以上の揮発性前駆体にさらされ、基板の表面で化学反応して、所望の SiC 堆積物が堆積されます。数あるSiC材料の作製方法の中でも、化学気相成長法により作製された製品は均一性や純度が高く、プロセス制御性も高い方法です。

CVD SiC 材料は、優れた熱的、電気的、化学的特性の独自の組み合わせにより、高性能材料を必要とする半導体産業での使用に非常に適しています。 CVD SiCコンポーネントは、エッチング装置、MOCVD装置、Siエピタキシャル装置およびSiCエピタキシャル装置、急速熱処理装置などの分野で広く使用されています。

全体として、CVD SiC コンポーネントの最大の市場セグメントはエッチング装置コンポーネントです。 CVD 炭化ケイ素は、塩素およびフッ素を含むエッチングガスに対する反応性と導電性が低いため、プラズマ エッチング装置のフォーカス リングなどのコンポーネントに理想的な材料です。

エッチング装置の CVD 炭化ケイ素部品には、フォーカス リング、ガス シャワー ヘッド、トレイ、エッジ リングなどが含まれます。フォーカス リングを例にとると、フォーカス リングはウエハの外側に配置され、ウエハに直接接触する重要な部品です。リングに電圧を印加してリングを通過するプラズマを集中させることにより、プラズマがウエハ上に集中し、処理の均一性が向上します。

従来のフォーカス リングはシリコンまたは石英でできています。集積回路の微細化の進展に伴い、集積回路製造におけるエッチングプロセスの需要と重要性が増大しており、エッチングプラズマの出力とエネルギーも増大し続けている。特に、容量結合型（CCP）プラズマエッチング装置では必要なプラズマエネルギーが高くなっており、炭化珪素材質のフォーカスリングの使用率が高まっています。 CVD 炭化ケイ素フォーカスリングの概略図を以下に示します。