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半導体分野における炭化珪素ウェーハボートの応用展望
管理者による 24-03-14
半導体分野では、材料の選択はデバイスの性能とプロセス開発にとって重要です。近年、炭化ケイ素ウェーハは新興材料として広く注目を集めており、半導体分野での応用に大きな可能性を示しています。シリコ...
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太陽光発電分野における炭化ケイ素セラミックスの応用展望
管理者による 24-03-14
近年、再生可能エネルギーに対する世界的な需要が増加するにつれ、太陽光発電はクリーンで持続可能なエネルギーの選択肢としてますます重要になっています。太陽光発電技術の開発において、材料科学は重要な役割を果たします。その中でも、炭化ケイ素セラミックスは、...
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一般的な TaC コーティンググラファイト部品の製造方法
管理者による、2005 年 3 月 24 日
PART/1CVD (化学蒸着) 法: 900 ~ 2300℃、タンタルと炭素源として TaCl5 と CnHm、還元雰囲気として H2、キャリアガスとして Ar2 を使用し、反応蒸着膜を形成します。調製されたコーティングは緻密で均一かつ高純度です。ただし、いくつか問題があります...
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TaCコーティングされたグラファイト部品の適用
管理者による、2005 年 3 月 24 日
PART/1 SiC および AIN 単結晶炉内のるつぼ、シード ホルダー、ガイド リングを PVT 法で成長させました。 図 2 [1] に示すように、物理的蒸気輸送法 (PVT) を使用して SiC を調製すると、種結晶は比較的低温域、SiCレ...
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炭化ケイ素の構造と成長技術(Ⅱ)
管理者による、24-01-25
第四に、物理的蒸気輸送法 物理的蒸気輸送 (PVT) 法は、1955 年に Lely によって発明された気相昇華技術に由来します。SiC 粉末をグラファイトチューブに入れ、高温に加熱して、SiC 粉末を分解および昇華させます。
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炭化ケイ素の構造と成長技術(Ⅰ)
管理者による、24-01-24
まず、SiC結晶の構造と性質について説明します。 SiCは、Si元素とC元素が1:1、つまりシリコン(Si)50%、炭素(C)50%からなる二元化合物であり、その基本構造単位はSI-C四面体です。炭化ケイ素四面体構造の模式図
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半導体製品における炭化タンタルコーティングの利点
管理者による、23-12-26
科学技術の絶え間ない進歩に伴い、半導体製品は私たちの生活においてますます重要な役割を果たしています。半導体製造プロセスにおいて、コーティング技術の応用はますます重要になっています。素材としては幅広いですが…
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電子半導体製造における炭化ケイ素ノズル
管理者による、23-12-26
炭化ケイ素ノズルは電子半導体製造において重要な役割を果たします。液体や気体を噴霧する装置で、半導体製造における湿式化学処理によく使用されます。 Sic ノズルには、高温耐性、耐久性などの利点があります。
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高温環境における炭化ケイ素結晶ボートの優れた性能
管理者による、23-12-26
炭化ケイ素クリスタルボートは、高温環境下で驚異的な耐熱性と耐食性を示す優れた特性を持った素材です。炭素とケイ素元素から構成される化合物で、硬度が高く、融点が高く、耐熱性に優れています。
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ガラスカーボンのユニークな特性と用途を探る
管理者による 23-12-18
炭素は自然界で最も一般的な元素の 1 つであり、地球上に存在するほぼすべての物質の特性を網羅しています。硬さや柔らかさの変化、絶縁性・半導体性・超電導性の挙動、断熱性・超電導性、耐衝撃性など、幅広い特性を示します。
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グラッシー カーボンがイノベーションと出会うとき: グラッシー カーボン コーティング技術の革命をリードするセミセラ
管理者による 23-12-18
ガラス状カーボンは、ガラス状カーボンまたはガラス状カーボンとしても知られ、ガラスとセラミックの特性を組み合わせて非黒鉛状炭素材料を形成します。先進的なガラス状カーボン材料の開発の最前線にある企業の中に、カーボンベースのカーボン材料を専門とする大手メーカーであるセミセラがあります。
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セミセラが革新的なグラファイト製品を発表し、業界に優れたソリューションを提供
管理者による 2012 年 12 月 23 日
グラファイト製品製造の世界的リーダーであるセミセラは、最近、業界に優れたソリューションを提供する一連の革新的な製品の発売を発表しました。セミセラは、この分野のリーディングカンパニーとして、高品質かつ高性能のグラファイトプロペラの提供に取り組んでいます。
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