-
昨日、科学技術イノベーション委員会は、Huazhuo Precision Technology が IPO を中止したと発表しました。
中国初の8インチSICレーザーアニール装置の納入を発表したところですが、これも清華社の技術です。なぜ彼らは資料を自ら撤回したのでしょうか？一言: まず、製品が多様すぎるということです。一見すると何をしているのか分かりません。現在、H...続きを読む -
CVD炭化ケイ素コーティング-2
CVD 炭化ケイ素コーティング 1. 炭化ケイ素コーティングが存在する理由 エピタキシャル層は、エピタキシャル プロセスを通じてウェーハをベースに成長させた特定の単結晶薄膜です。基板ウェーハとエピタキシャル薄膜を総称してエピタキシャルウェーハと呼ぶ。その中で、...続きを読む -
SICコーティングの作製工程
現在、SiC コーティングの作製方法には主にゲルゾル法、埋め込み法、ブラシコーティング法、プラズマ溶射法、化学気相反応法 (CVR) および化学気相成長法 (CVD) が含まれます。埋め込み法この方法は、高温固相法の一種です。続きを読む -
CVD炭化ケイ素コーティング-1
CVD SiC とは 化学蒸着 (CVD) は、高純度の固体材料を製造するために使用される真空蒸着プロセスです。このプロセスは、半導体製造分野でウェーハの表面に薄膜を形成するためによく使用されます。 CVD による SiC の製造プロセスでは、基板が研磨されます。続きを読む -
X線トポロジカルイメージングによる光線追跡シミュレーションによるSiC結晶の転位構造の解析
研究の背景 炭化ケイ素 (SiC) の応用の重要性: 炭化ケイ素は、ワイドバンドギャップ半導体材料として、その優れた電気特性 (より大きなバンドギャップ、より高い電子飽和速度、熱伝導率など) により多くの注目を集めています。これらの小道具は...続きを読む -
SiC単結晶育成における種結晶作製プロセス3
成長検証 炭化ケイ素 (SiC) 種結晶は、概要を示したプロセスに従って準備され、SiC 結晶成長を通じて検証されました。成長プラットフォームには自社開発のSiC誘導成長炉を使用し、成長温度2200℃、成長圧力200Pa、成長条件は...続きを読む -
SiC単結晶育成における種結晶作製工程（後編）
2. 実験プロセス 2.1 接着膜の硬化接着剤を塗布した SiC ウェハ上に炭素膜を直接作成するか、グラファイト紙で接着すると、いくつかの問題が発生することが観察されました。 1. 真空条件下では、SiC ウェハ上の接着膜が鱗状の外観を呈しました。署名する...続きを読む -
SiC単結晶育成における種結晶作製プロセス
炭化ケイ素 (SiC) 材料は、広いバンドギャップ、高い熱伝導率、高い臨界破壊電界強度、高い飽和電子ドリフト速度という利点を備えており、半導体製造分野で非常に有望です。 SiC 単結晶は通常、次のような方法で製造されます。続きを読む -
ウェーハの研磨方法にはどのようなものがありますか?
チップの作成に関わるすべてのプロセスのうち、ウェハーの最終的な運命は、個々のダイに切断され、数本のピンだけが露出した小さな密閉箱にパッケージされることです。チップはそのしきい値、抵抗、電流、電圧の値に基づいて評価されますが、誰も考慮しません...続きを読む -
SiCエピタキシャル成長プロセスの基礎入門
エピタキシャル層とは、エピタキシャル法によりウェーハ上に成長させた特定の単結晶膜のことで、基板ウェーハとエピタキシャル膜を合わせてエピタキシャルウェーハと呼ばれます。導電性炭化珪素基板上に炭化珪素エピタキシャル層を成長させることにより、均質な炭化珪素エピタキシャル...続きを読む -
半導体パッケージング工程の品質管理のポイント
半導体パッケージングプロセスの品質管理のポイント 現在、半導体パッケージングのプロセス技術は大幅に向上、最適化されています。しかし、全体的な観点から見ると、半導体パッケージングのプロセスと方法はまだ完全なものには達していません。続きを読む -
半導体パッケージングプロセスにおける課題
現在の半導体パッケージング技術は徐々に改善されていますが、自動化された装置や技術が半導体パッケージングにどの程度採用されるかが、期待される成果の実現に直接影響します。既存の半導体パッケージングプロセスは依然として問題を抱えています...続きを読む