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半導体パッケージングプロセスの調査と分析
半導体プロセスの概要半導体プロセスでは、主に微細加工技術とフィルム技術を適用して、基板やフレームなどのさまざまな領域内のチップやその他の要素を完全に接続します。これにより、リード端子の取り出しと樹脂による封止が容易になります。続きを読む -
半導体業界の新潮流：保護コーティング技術の応用
半導体産業は、特に炭化ケイ素 (SiC) パワーエレクトロニクスの分野で前例のない成長を遂げています。電気自動車用の SiC デバイスの需要の急増に対応するために、多くの大規模ウェーハ工場が建設または拡張中であるため、...続きを読む -
SiC 基板の処理の主な手順は何ですか?
SiC 基板の製造および加工手順は次のとおりです。 1. 結晶配向: X 線回折を使用して結晶インゴットを配向します。 X 線ビームが目的の結晶面に照射されると、回折ビームの角度によって結晶の方向が決まります。続きを読む -
単結晶シリコン成長の品質を決定する重要な材料 - 熱場
単結晶シリコンの成長プロセスは完全に熱場内で行われます。良好な熱場は結晶品質の向上に役立ち、結晶化効率が高くなります。熱場の設計が変化と変化を大きく決定します...続きを読む -
エピタキシャル成長とは何ですか?
エピタキシャル成長とは、単結晶基板（基板）上に、基板と同じ結晶方位を持った単結晶層を、あたかも元の結晶が外側に伸びているかのように成長させる技術です。この新しく成長した単結晶層は、結晶構造の点で基板とは異なる場合があります。続きを読む -
基板とエピタキシーの違いは何ですか?
ウェーハ準備プロセスには 2 つの主要なリンクがあります。1 つは基板の準備で、もう 1 つはエピタキシャル プロセスの実行です。基板は、半導体単結晶材料から慎重に作られたウェーハであり、ウェーハ製造工程に直接入れることができます。続きを読む -
グラファイトヒーターの多彩な特性を明らかに
グラファイトヒーターは、その優れた特性と多用途性により、さまざまな業界で不可欠なツールとして浮上しています。これらのヒーターは、研究室から工業環境に至るまで、材料合成から分析技術に至るまでのプロセスにおいて極めて重要な役割を果たしています。さまざまな中で...続きを読む -
ドライエッチングとウェットエッチングのメリット・デメリットを詳しく解説
半導体製造において、基板や基板上に形成された薄膜を加工する際に「エッチング」と呼ばれる技術があります。エッチング技術の発展は、1965 年にインテルの創設者ゴードン・ムーアが述べた「...続きを読む -
炭化ケイ素ヒーターの高い熱効率と優れた安定性を明らかに
炭化ケイ素 (SiC) ヒーターは、半導体業界の熱管理の最前線にあります。この記事では、SiC ヒーターの卓越した熱効率と優れた安定性を調査し、半導体における最適なパフォーマンスと信頼性を確保する上での重要な役割を明らかにします。続きを読む -
炭化ケイ素ウエハーボートの高強度・高硬度特性を探る
炭化ケイ素 (SiC) ウェハーボートは、半導体産業において重要な役割を果たし、高品質の電子デバイスの製造を促進します。この記事では、SiC ウェーハ ボートの卓越した強度と硬度に焦点を当て、SiC ウェーハ ボートの顕著な特徴を掘り下げ、その重要性を強調します。続きを読む -
結晶成長における炭化ケイ素ウェーハボートの優れた性能
結晶成長プロセスは半導体製造の中心であり、高品質のウェーハの生産が極めて重要です。これらのプロセスに不可欠なコンポーネントは、炭化ケイ素 (SiC) ウェーハボートです。 SiC ウェーハ ボートは、次のような特徴があるため、業界で大きな認知を得ています。続きを読む -
単結晶炉の熱場におけるグラファイトヒーターの驚くべき熱伝導率
単結晶炉技術の分野では、熱管理の効率と精度が最も重要です。最適な温度均一性と安定性を達成することは、高品質の単結晶を成長させる上で非常に重要です。これらの課題に対処するために、グラファイト ヒーターが驚くべき製品として登場しました。続きを読む