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利点
高温耐酸化性
優れた耐食性
優れた耐摩耗性
高い熱伝導率
自己潤滑性、低密度
高硬度
カスタマイズされたデザイン。
アプリケーション
-耐摩耗分野:ブッシュ、プレート、サンドブラストノズル、サイクロンライニング、研削バレルなど…
-高温分野：SiCスラブ、焼入れ炉管、ラジアントチューブ、るつぼ、発熱体、ローラー、ビーム、熱交換器、冷気パイプ、バーナーノズル、熱電対保護管、SiCボート、キルンカー構造物、セッターなど。
-炭化ケイ素半導体：SiCウェーハボート、SICチャック、SICパドル、SICカセット、SIC拡散管、ウェーハフォーク、吸着プレート、ガイドウェイなど。
-炭化ケイ素シール分野：あらゆる種類のシールリング、ベアリング、ブッシュなど。
-太陽光発電分野：カンチレバーパドル、研削バレル、炭化ケイ素ローラーなど。
-リチウム電池分野
SiCの物性
| 財産 | 価値 | 方法 |
| 密度 | 3.21g/cc | 浮き浮きと寸法 |
| 比熱 | 0.66J/g°K | パルスレーザーフラッシュ |
| 曲げ強度 | 450MPa560MPa | 4点曲げ、RT4点曲げ、1300° |
| 破壊靱性 | 2.94MPa・m1/2 | マイクロインデント |
| 硬度 | 2800 | ビッカーズ、500g荷重 |
| 弾性率ヤング率 | 450GPa430GPa | 4 ポイントベンド、RT4 ポイントベンド、1300 °C |
| 粒度 | 2～10μm | SEM |
SiCの熱的性質
| 熱伝導率 | 250W/m°K | レーザーフラッシュ方式、RT |
| 熱膨張 (CTE) | 4.5×10-6°K | 室温～950 °C、シリカ膨張計 |
技術的パラメータ
| アイテム | ユニット | データ | ||||
| RBSiC(SiSiC) | NBSiC | SSiC | RSiC | OSiC | ||
| SiC含有量 | % | 85 | 75 | 99 | 99.9 | ≥99 |
| 無料のシリコン含有量 | % | 15 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 最高使用温度 | ℃ | 1380 | 1450 | 1650 | 1620年 | 1400 |
| 密度 | グラム/センチメートル3 | 3.02 | 2.75～2.85 | 3.08～3.16 | 2.65-2.75 | 2.75～2.85 |
| 開気孔率 | % | 0 | 13-15 | 0 | 15-18 | 7-8 |
| 曲げ強度20℃ | Мpa | 250 | 160 | 380 | 100 | / |
| 曲げ強度1200℃ | Мpa | 280 | 180 | 400 | 120 | / |
| 弾性率20℃ | GPA | 330 | 580 | 420 | 240 | / |
| 弾性率1200℃ | GPA | 300 | / | / | 200 | / |
| 熱伝導率1200℃ | W/mK | 45 | 19.6 | 100-120 | 36.6 | / |
| 熱膨張係数 | K-1X10-6 | 4.5 | 4.7 | 4.1 | 4.69 | / |
| HV | キログラム/メートルm2 | 2115 | / | 2800 | / | / |
再結晶炭化ケイ素セラミック製品の外表面の CVD 炭化ケイ素コーティングは、99.9999% 以上の純度に達し、半導体業界の顧客のニーズを満たすことができます。
ピクチャー
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