セミセラの P 型 SiC 基板ウェハは、高度な電子および光電子デバイスを開発するための重要なコンポーネントです。これらのウェーハは、高電力および高温環境でのパフォーマンス向上を実現するように特別に設計されており、効率的で耐久性のあるコンポーネントに対する需要の高まりをサポートします。
当社の SiC ウェハの P 型ドーピングにより、導電性と電荷キャリア移動度が向上します。そのため、低電力損失と高効率が重要なパワーエレクトロニクス、LED、太陽電池の用途に特に適しています。
最高水準の精度と品質で製造されたセミセラの P タイプ SiC ウェーハは、優れた表面均一性と最小限の欠陥率を実現します。これらの特性は、航空宇宙、自動車、再生可能エネルギー分野など、一貫性と信頼性が不可欠な業界にとって不可欠です。
Semicera の革新性と卓越性への取り組みは、P 型 SiC 基板ウェハに明らかです。これらのウェーハを生産プロセスに統合することで、デバイスは SiC の卓越した熱的および電気的特性の恩恵を受け、困難な条件下でも効果的に動作できるようになります。
Semicera の P 型 SiC 基板ウェハに投資するということは、最先端の材料科学と綿密なエンジニアリングを組み合わせた製品を選択することを意味します。 Semicera は、次世代のエレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクス技術のサポートに専念し、半導体業界での成功に必要な必須コンポーネントを提供します。
| アイテム | 生産 | 研究 | ダミー |
| クリスタルパラメータ | |||
| ポリタイプ | 4H | ||
| 面方位エラー | <11-20 >4±0.15° | ||
| 電気的パラメータ | |||
| ドーパント | n型窒素 | ||
| 抵抗率 | 0.015～0.025Ω・cm | ||
| 機械的パラメータ | |||
| 直径 | 150.0±0.2mm | ||
| 厚さ | 350±25μm | ||
| プライマリフラット方向 | [1-100]±5° | ||
| 一次平坦長さ | 47.5±1.5mm | ||
| 二次フラット | なし | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
| 弓 | -15μm～15μm | -35μm～35μm | -45μm～45μm |
| ワープ | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| 表面(Si面)粗さ(AFM) | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 構造 | |||
| マイクロパイプ密度 | <1ea/cm2 | <10ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| 金属不純物 | ≤5E10原子/cm2 | NA | |
| 境界性パーソナリティ障害 | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| フロント品質 | |||
| フロント | Si | ||
| 表面仕上げ | Si面CMP | ||
| 粒子 | ≤60ea/ウェーハ (サイズ≧0.3μm) | NA | |
| 傷 | ≤5ea/mm。累積長さ ≤ 直径 | 累積長さ≤2*直径 | NA |
| オレンジの皮/穴/汚れ/縞模様/ひび割れ/汚染 | なし | NA | |
| エッジ欠け/圧痕/欠損/六角プレート | なし | ||
| ポリタイプ領域 | なし | 累積面積≤20% | 累積面積≤30% |
| 前面レーザーマーキング | なし | ||
| バック品質 | |||
| 裏面仕上げ | C面CMP | ||
| 傷 | ≤5ea/mm、累積長さ≤2*直径 | NA | |
| 裏面欠陥（エッジ欠け/凹み） | なし | ||
| 裏面粗さ | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 背面のレーザーマーキング | 1mm（上端から） | ||
| 角 | |||
| 角 | 面取り | ||
| 包装 | |||
| 包装 | 真空包装でエピ対応可能 マルチウエハカセットパッケージング | ||
| ※注：「NA」は要望なしを意味します。 記載のない項目についてはSEMI-STDを参照している可能性があります。 | |||
