セミセラを紹介します半導体カセットは、半導体製造プロセス全体を通じてウェーハを安全かつ効率的に取り扱うために不可欠なツールです。高精度に設計されたこのカセットは、ウェーハを安全に保管および輸送し、あらゆる段階でウェーハの完全性を維持します。
優れた保護力と耐久性の半導体カセットSemicera の製品は、ウェーハを最大限に保護するように設計されています。堅牢で耐汚染性の素材で作られているため、潜在的な損傷や汚染からウェーハを保護し、クリーンルーム環境に最適です。カセットの設計は微粒子の発生を最小限に抑え、取り扱いや輸送中にウェーハが触れずに安全な状態に保たれることを保証します。
最適なパフォーマンスを実現する強化された設計セミセラさん半導体カセットは、正確なウェーハ位置合わせを実現する細心の注意を払って設計されており、位置ずれや機械的損傷のリスクを軽減します。カセットのスロットは各ウェーハをしっかりと保持するために完璧な間隔で配置されており、傷やその他の欠陥の原因となる可能性のある動きを防ぎます。
汎用性と互換性の半導体カセット多用途でさまざまなウェーハサイズと互換性があるため、半導体製造のさまざまな段階に適しています。標準またはカスタムのウェーハ寸法を扱う場合でも、このカセットはニーズに適応し、製造プロセスに柔軟性をもたらします。
合理化された取り扱いと効率ユーザーのことを念頭に置いて設計されており、セミセラ半導体カセット軽量で扱いやすいため、迅速かつ効率的な積み降ろしが可能です。この人間工学に基づいたデザインは時間を節約するだけでなく、人的ミスのリスクを軽減し、施設内でのスムーズな運用を保証します。
業界標準を満たすセミセラは、半導体カセット品質と信頼性に関して最高の業界基準を満たしています。各カセットは厳格なテストを受け、半導体製造の厳しい条件下でも一貫して動作することを保証します。この品質へのこだわりにより、ウエハーは常に保護され、業界で求められる高い基準が維持されます。
アイテム | 生産 | 研究 | ダミー |
クリスタルパラメータ | |||
ポリタイプ | 4H | ||
面方位エラー | <11-20 >4±0.15° | ||
電気的パラメータ | |||
ドーパント | n型窒素 | ||
抵抗率 | 0.015~0.025Ω・cm | ||
機械的パラメータ | |||
直径 | 150.0±0.2mm | ||
厚さ | 350±25μm | ||
プライマリフラット方向 | [1-100]±5° | ||
一次平坦長さ | 47.5±1.5mm | ||
二次フラット | なし | ||
TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
弓 | -15μm~15μm | -35μm~35μm | -45μm~45μm |
ワープ | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
表面(Si面)粗さ(AFM) | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
構造 | |||
マイクロパイプ密度 | <1ea/cm2 | <10ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
金属不純物 | ≤5E10原子/cm2 | NA | |
境界性パーソナリティ障害 | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
フロント品質 | |||
フロント | Si | ||
表面仕上げ | Si面CMP | ||
粒子 | ≤60ea/ウェーハ (サイズ≧0.3μm) | NA | |
傷 | ≤5ea/mm。累積長さ ≤ 直径 | 累積長さ≤2*直径 | NA |
オレンジの皮/穴/汚れ/縞模様/ひび割れ/汚染 | なし | NA | |
エッジ欠け/圧痕/欠損/六角プレート | なし | ||
ポリタイプ領域 | なし | 累積面積≤20% | 累積面積≤30% |
前面レーザーマーキング | なし | ||
バック品質 | |||
裏面仕上げ | C面CMP | ||
傷 | ≤5ea/mm、累積長さ≤2*直径 | NA | |
裏面欠陥(エッジ欠け/凹み) | なし | ||
裏面粗さ | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
背面のレーザーマーキング | 1mm(上端から) | ||
角 | |||
角 | 面取り | ||
包装 | |||
包装 | 真空包装でエピ対応可能 マルチウエハカセットパッケージング | ||
※注:「NA」は要望なしを意味します。 記載のない項目についてはSEMI-STDを参照している可能性があります。 |