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品質の良さは最初からあります。会社が第一です。 「中小企業は協力である」という当社の経営理念は、当社の事業において頻繁に遵守され、追求されており、本質的に最新の設備と手順を達成するために、いかなる代価を払ってでも対策を講じます。指名ブランドのパッケージも当社のさらなる特徴です。長年にわたるトラブルのないサービスを保証するソリューションは、多くの顧客を魅了しています。アイテムは改良されたデザインとより豊富な種類で入手可能で、純粋な原材料から科学的に生産されています。さまざまなデザインや仕様からお選びいただけます。最新のフォームは以前のものよりもはるかに優れており、いくつかのクライアントから非常に人気があります。
再結晶炭化ケイ素の性質
再結晶炭化ケイ素(R-SiC)は、2000℃以上の高温で生成されるダイヤモンドに次ぐ硬度を持つ高性能素材です。高温強度、強力な耐食性、優れた耐酸化性、優れた耐熱衝撃性など、SiC の多くの優れた特性を保持しています。
●機械的特性に優れています。再結晶炭化ケイ素は炭素繊維よりも強度と剛性が高く、耐衝撃性が高く、極端な温度環境でも優れた性能を発揮し、さまざまな状況で優れたカウンターバランス性能を発揮します。また、柔軟性にも優れており、伸ばしたり曲げたりしても傷みにくいため、性能が大幅に向上します。
●耐食性に優れています。再結晶炭化ケイ素は、さまざまな媒体に対する高い耐食性を持ち、さまざまな腐食性媒体の侵食を防止でき、機械的特性を長期間維持でき、付着力が強いため、耐用年数が長くなります。さらに、熱安定性にも優れており、一定範囲の温度変化に適応し、塗布効果を向上させます。
●焼結により収縮しません。焼結法では収縮しないため、残留応力による変形やクラックが発生せず、複雑な形状の部品を高精度に作製することができます。
材料データシート
材質材質 | R-SiC |
使用温度使用温度(℃) | 1600℃ (氧化气氛酸化環境) 1700℃(还原气氛還元環境) |
SiC含有量SiC含有量(%) | > 99 |
自由Si含有量遊離Si含有量(%) | < 0.1 |
体密度かさ密度 (g/cm3) | 2.60-2.70 |
気孔率見掛け気孔率(%) | < 16 |
耐圧強度(MPa) | > 600 |
常温耐弯强度冷間曲げ強さ(MPa) | 80~90(20℃) |
高温耐弯强度熱間曲げ強さ(MPa) | 90~100(1400℃) |
熱膨張胀系数 熱膨張係数 @1500°C (10-6/°C) | 4.70 |
导熱系数熱伝導率 @1200°C (W/m・K) | 23 |
杨氏模量弾性率 (GPa) | 240 |
耐熱震性耐熱衝撃性 | 很好非常に良い |
製品説明:
セミセラエナジーテクノロジー株式会社が開発した最先端の製品、半導体SiCをご紹介します。ウエハーボート。ウェーハおよび最先端の半導体消耗品を専門とする大手サプライヤーとして、当社はお客様に高品質で信頼性の高い製品を提供することに尽力しています。 、半導体製造、太陽光発電産業、その他の関連分野に革新的な製品を推進します。
半導体炭化ケイ素ウェーハボートは、優れた特性を備えた高性能材料である再結晶炭化ケイ素 (R-SiC) を使用して製造されています。 2000℃を超える高温プロセスにより実現された素材で、ダイヤモンドに次ぐ優れた硬度を持っています。これらのボートは、高温強度、強力な耐食性、優れた耐酸化性、優れた耐熱衝撃性など、SiC の多くの優れた特性を保持しています。
半導体炭化ケイ素ウェーハボートの最も注目すべき特徴の 1 つは、その優れた機械的特性です。再結晶プロセスにより、カーボンベースの材料と比較して高い強度と剛性を備えています。これにより耐久性と信頼性が向上し、製造中のデリケートな半導体ウェーハの安全な輸送と取り扱いが保証されます。
また、半導体炭化ケイ素ウエハボートは、炭素繊維微粒子とシリコン粉末を混合した画期的な複合材料です。慎重な混合および熱処理プロセスを通じて、この材料は優れた構造的完全性を実現し、要求の厳しい半導体用途に最適です。
Semicera Energy Technology Co., Ltd. では、最高の品質基準と革新性を満たす製品をお届けすることに誇りを持っています。当社の半導体 SiC ウェーハ ボートの比類のないパフォーマンスは、お客様の半導体製造ニーズに対する信頼性の高いソリューションを提供します。優れた顧客サービスと継続的な改善への取り組みにより、当社の製品はお客様の期待を超えるものになると確信しています。
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