半導体 シリコンベースのGaNエピタキシー

製品説明

当社は、グラファイトやセラミックスなどの材料表面に、炭素とシリコンを含む特殊ガスを高温で反応させ、高純度のSiC分子を得ることで、コーティング材料の表面に分子を堆積させ、CVD法によるSiCコーティング処理サービスを提供しています。 SIC保護層を形成します。

主な特徴:

1. 高温酸化耐性:

1600℃もの高温でも耐酸化性は非常に良好です。

2. 高純度 : 高温塩素化条件下での化学蒸着によって製造されます。

3.耐浸食性：高硬度、緻密な表面、微細な粒子。

4. 耐食性: 酸、アルカリ、塩および有機試薬。