SiC コーティングされた深紫外 LED サセプタ – 高性能エピタキシー用の高度な MOCVD コンポーネント
概要：SiC コーティングされた深紫外 LED サセプタは、MOCVD (有機金属化学気相成長) プロセスの重要なコンポーネントであり、効率的かつ安定した深紫外 LED エピタキシャル層の成長をサポートするように特別に設計されています。 Semicera は、SiC コーティングされたサセプタの大手メーカーおよびサプライヤーであり、最高の業界基準を満たす製品を提供しています。長年の経験とトップ LED エピタキシャル メーカーとの長期的なパートナーシップにより、当社のサセプター ソリューションは世界中で信頼されています。
主な機能と利点:
▪深紫外 LED エピタキシー用に最適化:260nm 未満の波長範囲 (UV-C 消毒、滅菌、その他の用途に使用) を含む深 UV LED の高性能エピタキシャル成長用に特別に設計されています。
▪材質とコーティング:高品質の SGL グラファイトから製造され、コーティングされています。CVD SiC、NH3、HCl、および高温環境に対する優れた耐性を保証します。この耐久性のあるコーティングにより、パフォーマンスと寿命が向上します。
▪精密な熱管理:高度な処理技術により均一な熱分布が保証され、エピタキシャル層の成長に影響を与える可能性のある温度勾配が防止され、均一性と材料品質が向上します。
▪ 熱膨張の互換性:AlN/GaN エピタキシャル ウェーハの熱膨張係数と一致し、ウェーハの反りや亀裂のリスクを最小限に抑えます。MOCVDプロセス。
主要な MOCVD 装置に適応: Veeco K465i、EPIK 700、Aixtron Crius などの主要な MOCVD システムと互換性があり、2 ～ 8 インチのウェーハ サイズをサポートし、スロット設計、プロセス温度、その他のパラメーターに合わせてカスタマイズされたソリューションを提供します。
アプリケーション:
▪ 深紫外 LED の製造:UV-C 消毒や滅菌などの用途に使用される深 UV LED のエピタキシーに最適です。
▪ 窒化物半導体エピタキシー:半導体デバイス製造におけるGaNおよびAlNエピタキシャルプロセスに適しています。
▪ 研究開発:深紫外材料や新技術に焦点を当てた大学や研究機関向けの高度なエピタキシー実験をサポートします。
セミセラを選ぶ理由
▪ 実証済みの品質:私たちのSiCコーティング深紫外 LED サセプタは、国際的なトップメーカーの性能に匹敵することを保証するために厳格な検証を受けています。
▪ カスタマイズされたソリューション:当社は、お客様の固有のニーズを満たすカスタマイズされた製品を提供し、最適なパフォーマンスと長期的な信頼性を保証します。
▪ グローバルな専門知識:多くの人の信頼されるパートナーとしてLEDエピタキシャルセミセラは世界中のメーカーに最先端の技術と豊富な経験をあらゆるプロジェクトにもたらします。
今すぐお問い合わせください。セミセラが高品質で信頼性の高い SiC コーティングされた深紫外 LED サセプタを使用して MOCVD プロセスをどのようにサポートできるかをご覧ください。詳細または見積もりをご希望の場合は、お問い合わせください。
