MOCVD用SiCコーティンググラファイトベースサセプタ

SiC コーティングされたグラファイトベースサセプタSemicera の MOCVD 用製品は、エピタキシャル成長プロセスで優れたパフォーマンスを提供するように設計されています。グラファイトベース上の高品質炭化ケイ素コーティングにより、MOCVD (有機金属化学気相成長) 操作中の安定性、耐久性、最適な熱伝導率が保証されます。セミセラの革新的なサセプタ技術を使用することで、精度と効率の向上を実現できます。SiエピタキシーそしてSiCエピタキシーアプリケーション。

これらMOCVDサセプタなどのさまざまな必須半導体コンポーネントをサポートするように設計されています。PSSエッチングキャリア, ICPエッチングキャリア、 そしてRTPキャリア、さまざまなエッチングやエピタキシャルタスクに多用途に使用できます。セミセラは高水準への取り組みにより、これらのサセプタが現代の半導体製造の厳しい要求を満たすことを保証します。

での使用に最適LEDエピタキシャルサセプタ、バレルサセプタ、および単結晶シリコンプロセスでは、これらのサセプタはパンケーキサセプタ構成を含むさまざまなウェーハサイズに合わせてカスタマイズできます。また、太陽光発電部品の取り扱いにも非常に効果的であり、効率的な太陽電池の開発において重要なコンポーネントとなっています。

さらに、MOCVD 用の SiC コーティングされたグラファイトベースサセプタは、SiC エピタキシー上の GaN 用に最適化されており、先進的な半導体材料との高い互換性を提供します。収量の向上に重点を置く場合でも、エピタキシャル成長の品質の向上に重点を置く場合でも、セミセラのサセプタはハイテク産業の成功に必要な信頼性と性能を提供します。