説明
Semicorex の MOCVD (有機金属化学気相成長) 用 SiC ウェーハ サセプタは、エピタキシャル成長プロセスの厳しい要求を満たすように設計されています。高品質の炭化ケイ素 (SiC) を利用したこれらのサセプターは、高温および腐食環境において比類のない耐久性と性能を提供し、半導体材料の正確かつ効率的な成長を保証します。
主な特徴:
1. 優れた材料特性当社のウェハサセプタは高品位の SiC で構成されており、優れた熱伝導性と耐薬品性を示します。これらの特性により、高温や腐食性ガスなどの MOCVD プロセスの極限条件に耐えることができ、寿命と信頼性の高い性能が保証されます。
2. エピタキシャル成膜の精度当社の SiC ウェーハ サセプタの精密なエンジニアリングにより、ウェーハ表面全体に均一な温度分布が保証され、一貫した高品質のエピタキシャル層の成長が促進されます。この精度は、最適な電気特性を備えた半導体を製造するために非常に重要です。
3. 耐久性の向上堅牢な SiC 材料は、過酷なプロセス環境に継続的にさらされた場合でも、摩耗や劣化に対して優れた耐性を発揮します。この耐久性によりサセプタの交換頻度が減り、ダウンタイムと運用コストが最小限に抑えられます。
用途：
Semicorex の MOCVD 用 SiC ウェーハ サセプタは、以下の用途に最適です。
・半導体材料のエピタキシャル成長
• 高温MOCVDプロセス
・GaN、AlN、その他の化合物半導体の製造
• 高度な半導体製造アプリケーション
CVD-SICコーティングの主な仕様:
利点：
•高精度：均一で高品質なエピタキシャル成長を実現します。
•長期にわたるパフォーマンス：耐久性に優れ、交換頻度を軽減します。
• コスト効率: ダウンタイムとメンテナンスの削減により、運用コストを最小限に抑えます。
•多用途性: さまざまな MOCVD プロセス要件に合わせてカスタマイズ可能。
