セミセラ炭化ケイ素セラミックコーティングは、非常に硬く耐摩耗性に優れた炭化ケイ素 (SiC) 素材で作られた高性能保護コーティングです。コーティングは通常、CVD または PVD プロセスによって基板の表面に堆積されます。炭化ケイ素粒子、優れた耐化学腐食性と高温安定性を提供します。したがって、炭化ケイ素セラミックコーティングは、半導体製造装置の主要コンポーネントに広く使用されています。
半導体製造においては、SiCコーティング最大 1600°C の超高温に耐えることができるため、炭化ケイ素セラミック コーティングは、高温または腐食環境での損傷を防ぐための機器や工具の保護層としてよく使用されます。
同時に、炭化ケイ素セラミックコーティング酸、アルカリ、酸化物、その他の化学試薬に対する侵食に耐えることができ、さまざまな化学物質に対して高い耐食性を備えています。したがって、この製品は半導体業界のさまざまな腐食環境に適しています。
また、SiCは他のセラミック素材と比べて熱伝導率が高く、効率よく熱を伝導します。この機能により、正確な温度制御が必要な半導体プロセスでは、熱伝導率が高く、炭化ケイ素セラミックコーティング熱を均一に分散し、局所的な過熱を防ぎ、デバイスが最適な温度で動作するようにします。
CVD SICコーティングの基本物性 | |
財産 | 代表値 |
結晶構造 | FCC β 相多結晶、主に (111) 配向 |
密度 | 3.21 g/cm3 |
硬度 | ビッカース硬度2500(500g荷重) |
粒径 | 2~10μm |
化学純度 | 99.99995% |
熱容量 | 640J・kg-1・K-1 |
昇華温度 | 2700℃ |
曲げ強度 | 415MPa RT 4点 |
ヤング率 | 430 Gpa 4pt曲げ、1300℃ |
熱伝導率 | 300W・m-1・K-1 |
熱膨張(CTE) | 4.5×10-6K-1 |