セミセラさん炭化ケイ素エピタキシーは、現代の半導体アプリケーションの厳しい要求を満たすように設計されています。高度なエピタキシャル成長技術を活用することで、各炭化ケイ素層が優れた結晶品質、均一性、最小限の欠陥密度を示すことを保証します。これらの特性は、効率と熱管理が最重要である高性能パワー エレクトロニクスの開発にとって非常に重要です。
の炭化ケイ素エピタキシーSemicera のプロセスは、正確な厚さとドーピング制御でエピタキシャル層を生成するように最適化されており、さまざまなデバイスにわたって一貫したパフォーマンスを保証します。このレベルの精度は、信頼性と効率が重要となる電気自動車、再生可能エネルギー システム、高周波通信などのアプリケーションに不可欠です。
また、セミセラの炭化ケイ素エピタキシー熱伝導率が向上し、降伏電圧が向上するため、極端な条件下で動作するデバイスに最適です。これらの特性は、特に高電力および高温環境において、デバイスの寿命を延ばし、システム全体の効率を向上させるのに貢献します。
Semicera は、次のカスタマイズ オプションも提供します。炭化ケイ素エピタキシー、特定のデバイス要件を満たすカスタマイズされたソリューションが可能になります。研究用でも大規模生産用でも、当社のエピタキシャル層は次世代の半導体イノベーションをサポートするように設計されており、より強力で効率的で信頼性の高い電子デバイスの開発を可能にします。
Semicera は、最先端の技術と厳格な品質管理プロセスを統合することにより、炭化ケイ素エピタキシー製品は業界標準を満たすだけでなく、業界標準を超えています。この卓越性への取り組みにより、当社のエピタキシャル層は高度な半導体アプリケーションの理想的な基盤となり、パワー エレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクスにおけるブレークスルーへの道が開かれます。
アイテム | 生産 | 研究 | ダミー |
クリスタルパラメータ | |||
ポリタイプ | 4H | ||
面方位エラー | <11-20 >4±0.15° | ||
電気的パラメータ | |||
ドーパント | n型窒素 | ||
抵抗率 | 0.015~0.025Ω・cm | ||
機械的パラメータ | |||
直径 | 150.0±0.2mm | ||
厚さ | 350±25μm | ||
プライマリフラット方向 | [1-100]±5° | ||
一次平坦長さ | 47.5±1.5mm | ||
二次フラット | なし | ||
TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
弓 | -15μm~15μm | -35μm~35μm | -45μm~45μm |
ワープ | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
表面(Si面)粗さ(AFM) | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
構造 | |||
マイクロパイプ密度 | <1ea/cm2 | <10ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
金属不純物 | ≤5E10原子/cm2 | NA | |
境界性パーソナリティ障害 | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
フロント品質 | |||
フロント | Si | ||
表面仕上げ | Si面CMP | ||
粒子 | ≤60ea/ウェーハ (サイズ≧0.3μm) | NA | |
傷 | ≤5ea/mm。累積長さ ≤ 直径 | 累積長さ≤2*直径 | NA |
オレンジの皮/穴/汚れ/縞模様/ひび割れ/汚染 | なし | NA | |
エッジ欠け/圧痕/欠損/六角プレート | なし | ||
ポリタイプ領域 | なし | 累積面積≤20% | 累積面積≤30% |
前面レーザーマーキング | なし | ||
バック品質 | |||
裏面仕上げ | C面CMP | ||
傷 | ≤5ea/mm、累積長さ≤2*直径 | NA | |
裏面欠陥(エッジ欠け/凹み) | なし | ||
裏面粗さ | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
背面のレーザーマーキング | 1mm(上端から) | ||
角 | |||
角 | 面取り | ||
包装 | |||
包装 | 真空包装でエピ対応可能 マルチウエハカセットパッケージング | ||
※注:「NA」は要望なしを意味します。 記載のない項目についてはSEMI-STDを参照している可能性があります。 |