Semicera のシリコン フィルムは、半導体業界の厳しい要件を満たすように設計された、高品質で精密に設計された材料です。純粋なシリコンから製造されたこの薄膜ソリューションは、優れた均一性、高純度、優れた電気的および熱的特性を提供します。 Si ウェハ、SiC 基板、SOI ウェハ、SiN 基板、エピウェハの製造など、さまざまな半導体アプリケーションでの使用に最適です。セミセラのシリコン フィルムは信頼性が高く一貫した性能を保証し、高度なマイクロエレクトロニクスにとって不可欠な素材となっています。
半導体製造向けの優れた品質とパフォーマンス
セミセラのシリコン フィルムは、優れた機械的強度、高い熱安定性、低い欠陥率で知られており、これらはすべて高性能半導体の製造において重要です。酸化ガリウム (Ga2O3) デバイス、AlN ウェーハ、またはエピウェーハの製造に使用されるかどうかにかかわらず、フィルムは薄膜堆積およびエピタキシャル成長のための強力な基盤を提供します。 SiC 基板や SOI ウェーハなどの他の半導体基板との互換性により、既存の製造プロセスへのシームレスな統合が保証され、高い歩留まりと一貫した製品品質の維持に役立ちます。
半導体業界でのアプリケーション
半導体業界では、セミセラのシリコン フィルムは、Si ウェハや SOI ウェハの製造から、SiN 基板やエピウェハの作成などのより特殊な用途まで、幅広い用途で利用されています。このフィルムは高純度で精密であるため、マイクロプロセッサーや集積回路から光電子デバイスに至るまで、あらゆるものに使用される高度なコンポーネントの製造に不可欠です。
シリコン膜は、エピタキシャル成長、ウェーハ接合、薄膜堆積などの半導体プロセスにおいて重要な役割を果たします。その信頼性の高い特性は、半導体工場のクリーンルームなど、高度に制御された環境を必要とする産業にとって特に価値があります。さらに、シリコン フィルムをカセット システムに統合して、生産中のウェーハの取り扱いと輸送を効率的に行うことができます。
長期的な信頼性と一貫性
Semicera のシリコン フィルムを使用する主な利点の 1 つは、その長期信頼性です。優れた耐久性と安定した品質を備えたこのフィルムは、大量生産環境に信頼できるソリューションを提供します。セミセラのシリコン フィルムは、高精度の半導体デバイスで使用される場合でも、高度な電子アプリケーションで使用される場合でも、メーカーが幅広い製品にわたって高いパフォーマンスと信頼性を達成できることを保証します。
セミセラのシリコンフィルムが選ばれる理由
セミセラのシリコン フィルムは、半導体産業の最先端のアプリケーションに不可欠な材料です。優れた熱安定性、高純度、機械的強度などの高性能特性により、半導体製造で最高水準の達成を目指すメーカーにとって理想的な選択肢となります。 Si ウェハおよび SiC 基板から酸化ガリウム Ga2O3 デバイスの製造に至るまで、このフィルムは比類のない品質と性能を提供します。
セミセラのシリコン フィルムを使用すると、現代の半導体製造のニーズを満たす製品を信頼でき、次世代のエレクトロニクスに信頼できる基盤を提供できます。
アイテム | 生産 | 研究 | ダミー |
クリスタルパラメータ | |||
ポリタイプ | 4H | ||
面方位エラー | <11-20 >4±0.15° | ||
電気的パラメータ | |||
ドーパント | n型窒素 | ||
抵抗率 | 0.015~0.025Ω・cm | ||
機械的パラメータ | |||
直径 | 150.0±0.2mm | ||
厚さ | 350±25μm | ||
プライマリフラット方向 | [1-100]±5° | ||
一次平坦長さ | 47.5±1.5mm | ||
二次フラット | なし | ||
TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
弓 | -15μm~15μm | -35μm~35μm | -45μm~45μm |
ワープ | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
表面(Si面)粗さ(AFM) | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
構造 | |||
マイクロパイプ密度 | <1ea/cm2 | <10ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
金属不純物 | ≤5E10原子/cm2 | NA | |
境界性パーソナリティ障害 | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
フロント品質 | |||
フロント | Si | ||
表面仕上げ | Si面CMP | ||
粒子 | ≤60ea/ウェーハ (サイズ≧0.3μm) | NA | |
傷 | ≤5ea/mm。累積長さ ≤ 直径 | 累積長さ≤2*直径 | NA |
オレンジの皮/穴/汚れ/縞模様/ひび割れ/汚染 | なし | NA | |
エッジ欠け/圧痕/欠損/六角プレート | なし | ||
ポリタイプ領域 | なし | 累積面積≤20% | 累積面積≤30% |
前面レーザーマーキング | なし | ||
バック品質 | |||
裏面仕上げ | C面CMP | ||
傷 | ≤5ea/mm、累積長さ≤2*直径 | NA | |
裏面欠陥(エッジ欠け/凹み) | なし | ||
裏面粗さ | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
背面のレーザーマーキング | 1mm(上端から) | ||
角 | |||
角 | 面取り | ||
包装 | |||
包装 | 真空包装でエピ対応可能 マルチウエハカセットパッケージング | ||
※注:「NA」は要望なしを意味します。 記載のない項目についてはSEMI-STDを参照している可能性があります。 |