Semicera の窒化ケイ素セラミック基板は高度な材料技術の頂点を表しており、優れた熱伝導性と堅牢な機械的特性を提供します。高性能アプリケーション向けに設計されたこの基板は、信頼性の高い熱管理と構造的完全性が必要な環境に優れています。
当社の窒化ケイ素セラミック基板は、極端な温度や過酷な条件に耐えられるように設計されており、高出力および高周波の電子デバイスに最適です。優れた熱伝導率により、電子部品の性能と寿命を維持するために重要な効率的な放熱が保証されます。
Semicera の品質に対する取り組みは、当社が製造するすべての窒化ケイ素セラミック基板に明らかです。各基板は最先端のプロセスを使用して製造され、一貫したパフォーマンスと最小限の欠陥を保証します。この高レベルの精度は、自動車、航空宇宙、通信などの業界の厳しい要求をサポートします。
熱的および機械的利点に加えて、当社の基板は優れた電気絶縁特性を提供し、電子デバイスの全体的な信頼性に貢献します。セミセラの窒化ケイ素セラミック基板は、電気的干渉を軽減し、コンポーネントの安定性を高めることで、デバイスの性能を最適化する上で重要な役割を果たします。
Semicera の窒化ケイ素セラミック基板を選択することは、高性能と耐久性の両方を実現する製品に投資することを意味します。当社の基板は、高度な電子アプリケーションのニーズを満たすように設計されており、お客様のデバイスが最先端の材料技術と卓越した信頼性の恩恵を受けることを保証します。
| アイテム | 生産 | 研究 | ダミー |
| クリスタルパラメータ | |||
| ポリタイプ | 4H | ||
| 面方位エラー | <11-20 >4±0.15° | ||
| 電気的パラメータ | |||
| ドーパント | n型窒素 | ||
| 抵抗率 | 0.015～0.025Ω・cm | ||
| 機械的パラメータ | |||
| 直径 | 150.0±0.2mm | ||
| 厚さ | 350±25μm | ||
| プライマリフラット方向 | [1-100]±5° | ||
| 一次平坦長さ | 47.5±1.5mm | ||
| 二次フラット | なし | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
| 弓 | -15μm～15μm | -35μm～35μm | -45μm～45μm |
| ワープ | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| 表面(Si面)粗さ(AFM) | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 構造 | |||
| マイクロパイプ密度 | <1ea/cm2 | <10ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| 金属不純物 | ≤5E10原子/cm2 | NA | |
| 境界性パーソナリティ障害 | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| フロント品質 | |||
| フロント | Si | ||
| 表面仕上げ | Si面CMP | ||
| 粒子 | ≤60ea/ウェーハ (サイズ≧0.3μm) | NA | |
| 傷 | ≤5ea/mm。累積長さ ≤ 直径 | 累積長さ≤2*直径 | NA |
| オレンジの皮/穴/汚れ/縞模様/ひび割れ/汚染 | なし | NA | |
| エッジ欠け/圧痕/欠損/六角プレート | なし | ||
| ポリタイプ領域 | なし | 累積面積≤20% | 累積面積≤30% |
| 前面レーザーマーキング | なし | ||
| バック品質 | |||
| 裏面仕上げ | C面CMP | ||
| 傷 | ≤5ea/mm、累積長さ≤2*直径 | NA | |
| 裏面欠陥（エッジ欠け/凹み） | なし | ||
| 裏面粗さ | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 背面のレーザーマーキング | 1mm（上端から） | ||
| 角 | |||
| 角 | 面取り | ||
| 包装 | |||
| 包装 | 真空包装でエピ対応可能 マルチウエハカセットパッケージング | ||
| ※注：「NA」は要望なしを意味します。 記載のない項目についてはSEMI-STDを参照している可能性があります。 | |||
