セミセラのシリコン オン インシュレータ (SOI) ウェハは半導体技術革新の最前線にあり、強化された電気的絶縁と優れた熱性能を提供します。絶縁基板上の薄いシリコン層で構成される SOI 構造は、高性能電子デバイスに重要な利点をもたらします。
当社の SOI ウェーハは、高速かつ低電力の集積回路の開発に不可欠な寄生容量と漏れ電流を最小限に抑えるように設計されています。この高度なテクノロジーにより、現代のエレクトロニクスにとって不可欠な、デバイスの動作効率が向上し、速度が向上し、エネルギー消費が削減されます。
セミセラが採用する高度な製造プロセスは、優れた均一性と一貫性を備えた SOI ウェーハの生産を保証します。この品質は、信頼性が高く高性能なコンポーネントが必要とされる通信、自動車、家庭用電化製品のアプリケーションにとって不可欠です。
電気的利点に加えて、セミセラの SOI ウェーハは優れた断熱性を備え、高密度および高出力デバイスの放熱と安定性を高めます。この機能は、大量の発熱が発生し、効果的な熱管理が必要なアプリケーションで特に価値があります。
Semicera の Silicon On Insulator Wafer を選択すると、最先端技術の進歩をサポートする製品に投資することになります。品質と革新に対する当社の取り組みにより、当社の SOI ウェーハは今日の半導体産業の厳しい要求を確実に満たし、次世代電子デバイスの基盤を提供します。
| アイテム | 生産 | 研究 | ダミー |
| クリスタルパラメータ | |||
| ポリタイプ | 4H | ||
| 面方位エラー | <11-20 >4±0.15° | ||
| 電気的パラメータ | |||
| ドーパント | n型窒素 | ||
| 抵抗率 | 0.015～0.025Ω・cm | ||
| 機械的パラメータ | |||
| 直径 | 150.0±0.2mm | ||
| 厚さ | 350±25μm | ||
| プライマリフラット方向 | [1-100]±5° | ||
| 一次平坦長さ | 47.5±1.5mm | ||
| 二次フラット | なし | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
| 弓 | -15μm～15μm | -35μm～35μm | -45μm～45μm |
| ワープ | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| 表面(Si面)粗さ(AFM) | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 構造 | |||
| マイクロパイプ密度 | <1ea/cm2 | <10ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| 金属不純物 | ≤5E10原子/cm2 | NA | |
| 境界性パーソナリティ障害 | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| フロント品質 | |||
| フロント | Si | ||
| 表面仕上げ | Si面CMP | ||
| 粒子 | ≤60ea/ウェーハ (サイズ≧0.3μm) | NA | |
| 傷 | ≤5ea/mm。累積長さ ≤ 直径 | 累積長さ≤2*直径 | NA |
| オレンジの皮/穴/汚れ/縞模様/ひび割れ/汚染 | なし | NA | |
| エッジ欠け/圧痕/欠損/六角プレート | なし | ||
| ポリタイプ領域 | なし | 累積面積≤20% | 累積面積≤30% |
| 前面レーザーマーキング | なし | ||
| バック品質 | |||
| 裏面仕上げ | C面CMP | ||
| 傷 | ≤5ea/mm、累積長さ≤2*直径 | NA | |
| 裏面欠陥（エッジ欠け/凹み） | なし | ||
| 裏面粗さ | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 背面のレーザーマーキング | 1mm（上端から） | ||
| 角 | |||
| 角 | 面取り | ||
| 包装 | |||
| 包装 | 真空包装でエピ対応可能 マルチウエハカセットパッケージング | ||
| ※注：「NA」は要望なしを意味します。 記載のない項目についてはSEMI-STDを参照している可能性があります。 | |||
