シリコンオンインシュレーターウェーハSemicera の製品は、高性能半導体ソリューションに対する高まる需要を満たすように設計されています。当社の SOI ウェーハは、優れた電気的性能と低減された寄生デバイス容量を提供し、MEMS デバイス、センサー、集積回路などの高度なアプリケーションに最適です。 Semicera のウェーハ製造における専門知識により、SOIウェーハ次世代テクノロジーのニーズに応え、信頼性の高い高品質の結果を提供します。
私たちのシリコンオンインシュレーターウェーハ費用対効果とパフォーマンスの最適なバランスを提供します。ソイウェーハのコスト競争力がますます高まっているため、これらのウェーハはマイクロエレクトロニクスやオプトエレクトロニクスを含むさまざまな産業で広く使用されています。セミセラの高精度製造プロセスは、優れたウェーハ接合と均一性を保証し、キャビティ SOI ウェーハから標準シリコンウェーハまで、さまざまな用途に適しています。
主な特徴:
•MEMS およびその他のアプリケーションのパフォーマンスに最適化された高品質の SOI ウェーハ。
•品質に妥協することなく高度なソリューションを求める企業向けに、競争力のあるソイウェーハコストを提供します。
•最先端のテクノロジーに最適で、シリコン・オン・インシュレーター・システムの電気的絶縁と効率を強化します。
私たちのシリコンオンインシュレーターウェーハは、半導体技術の次の革新の波をサポートする高性能ソリューションを提供するように設計されています。虫歯の治療中かどうかSOIウェーハ、MEMS デバイス、またはシリコン オン インシュレータ コンポーネントなど、セミセラは業界最高の基準を満たすウェーハを提供します。
| アイテム | 生産 | 研究 | ダミー |
| クリスタルパラメータ | |||
| ポリタイプ | 4H | ||
| 面方位エラー | <11-20 >4±0.15° | ||
| 電気的パラメータ | |||
| ドーパント | n型窒素 | ||
| 抵抗率 | 0.015～0.025Ω・cm | ||
| 機械的パラメータ | |||
| 直径 | 150.0±0.2mm | ||
| 厚さ | 350±25μm | ||
| プライマリフラット方向 | [1-100]±5° | ||
| 一次平坦長さ | 47.5±1.5mm | ||
| 二次フラット | なし | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
| 弓 | -15μm～15μm | -35μm～35μm | -45μm～45μm |
| ワープ | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| 表面(Si面)粗さ(AFM) | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 構造 | |||
| マイクロパイプ密度 | <1ea/cm2 | <10ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| 金属不純物 | ≤5E10原子/cm2 | NA | |
| 境界性パーソナリティ障害 | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| フロント品質 | |||
| フロント | Si | ||
| 表面仕上げ | Si面CMP | ||
| 粒子 | ≤60ea/ウェーハ (サイズ≧0.3μm) | NA | |
| 傷 | ≤5ea/mm。累積長さ ≤ 直径 | 累積長さ≤2*直径 | NA |
| オレンジの皮/穴/汚れ/縞模様/ひび割れ/汚染 | なし | NA | |
| エッジ欠け/圧痕/欠損/六角プレート | なし | ||
| ポリタイプ領域 | なし | 累積面積≤20% | 累積面積≤30% |
| 前面レーザーマーキング | なし | ||
| バック品質 | |||
| 裏面仕上げ | C面CMP | ||
| 傷 | ≤5ea/mm、累積長さ≤2*直径 | NA | |
| 裏面欠陥（エッジ欠け/凹み） | なし | ||
| 裏面粗さ | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 背面のレーザーマーキング | 1mm（上端から） | ||
| 角 | |||
| 角 | 面取り | ||
| 包装 | |||
| 包装 | 真空包装でエピ対応可能 マルチウエハカセットパッケージング | ||
| ※注：「NA」は要望なしを意味します。 記載のない項目についてはSEMI-STDを参照している可能性があります。 | |||
