Semicera シリコン基板は、半導体業界の厳しい要求を満たすように作られており、比類のない品質と精度を提供します。これらの基板は、集積回路から太陽電池まで、さまざまなアプリケーションに信頼性の高い基盤を提供し、最適なパフォーマンスと寿命を保証します。
セミセラシリコン基板の高純度は、高効率電子部品の製造に不可欠な欠陥を最小限に抑え、優れた電気特性を保証します。このレベルの純度は、エネルギー損失を削減し、半導体デバイスの全体的な効率を向上させるのに役立ちます。
Semicera は最先端の製造技術を採用し、優れた均一性と平坦性を備えたシリコン基板を製造します。この精度は、わずかなばらつきでもデバイスの性能や歩留まりに影響を与える可能性がある半導体製造において一貫した結果を達成するために不可欠です。
セミセラ シリコン基板はさまざまなサイズと仕様を用意しており、幅広い産業ニーズに応えます。最先端のマイクロプロセッサを開発している場合でも、ソーラー パネルを開発している場合でも、これらの基板は特定のアプリケーションに必要な柔軟性と信頼性を提供します。
Semicera は、半導体業界のイノベーションと効率性のサポートに専念しています。高品質のシリコン基板を提供することで、メーカーが技術の限界を押し広げ、進化する市場の需要を満たす製品を提供できるようにします。次世代の電子および太陽光発電ソリューションならセミセラにお任せください。
| アイテム | 生産 | 研究 | ダミー |
| クリスタルパラメータ | |||
| ポリタイプ | 4H | ||
| 面方位エラー | <11-20 >4±0.15° | ||
| 電気的パラメータ | |||
| ドーパント | n型窒素 | ||
| 抵抗率 | 0.015～0.025Ω・cm | ||
| 機械的パラメータ | |||
| 直径 | 150.0±0.2mm | ||
| 厚さ | 350±25μm | ||
| プライマリフラット方向 | [1-100]±5° | ||
| 一次平坦長さ | 47.5±1.5mm | ||
| 二次フラット | なし | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
| 弓 | -15μm～15μm | -35μm～35μm | -45μm～45μm |
| ワープ | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| 表面(Si面)粗さ(AFM) | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 構造 | |||
| マイクロパイプ密度 | <1ea/cm2 | <10ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| 金属不純物 | ≤5E10原子/cm2 | NA | |
| 境界性パーソナリティ障害 | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| フロント品質 | |||
| フロント | Si | ||
| 表面仕上げ | Si面CMP | ||
| 粒子 | ≤60ea/ウェーハ (サイズ≧0.3μm) | NA | |
| 傷 | ≤5ea/mm。累積長さ ≤ 直径 | 累積長さ≤2*直径 | NA |
| オレンジの皮/穴/汚れ/縞模様/ひび割れ/汚染 | なし | NA | |
| エッジ欠け/圧痕/欠損/六角プレート | なし | ||
| ポリタイプ領域 | なし | 累積面積≤20% | 累積面積≤30% |
| 前面レーザーマーキング | なし | ||
| バック品質 | |||
| 裏面仕上げ | C面CMP | ||
| 傷 | ≤5ea/mm、累積長さ≤2*直径 | NA | |
| 裏面欠陥（エッジ欠け/凹み） | なし | ||
| 裏面粗さ | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 背面のレーザーマーキング | 1mm（上端から） | ||
| 角 | |||
| 角 | 面取り | ||
| 包装 | |||
| 包装 | 真空包装でエピ対応可能 マルチウエハカセットパッケージング | ||
| ※注：「NA」は要望なしを意味します。 記載のない項目についてはSEMI-STDを参照している可能性があります。 | |||
