Semicera シリコン ウェーハは、マイクロプロセッサから太陽電池まで、幅広い半導体デバイスの基盤として機能するよう、細心の注意を払って作られています。これらのウェーハは高精度かつ高純度で設計されており、さまざまな電子アプリケーションで最適なパフォーマンスを保証します。
高度な技術を使用して製造されたセミセラ シリコン ウェーハは、半導体製造において高い歩留まりを達成するために重要な、優れた平坦性と均一性を示します。このレベルの精度は、欠陥を最小限に抑え、電子部品の全体的な効率を向上させるのに役立ちます。
セミセラシリコンウェーハの優れた品質は、その電気的特性に明らかであり、半導体デバイスの性能向上に貢献します。不純物レベルが低く、結晶品質が高いこれらのウェーハは、高性能エレクトロニクスの開発に理想的なプラットフォームを提供します。
セミセラ シリコン ウェーハはさまざまなサイズと仕様があり、コンピューティング、電気通信、再生可能エネルギーなど、さまざまな業界の特定のニーズを満たすようにカスタマイズできます。大規模製造でも専門的な研究でも、これらのウェーハは信頼できる結果をもたらします。
セミセラは、最高の業界基準を満たす高品質のシリコンウェーハを提供することで、半導体産業の成長と革新をサポートすることに尽力しています。セミセラは精度と信頼性に重点を置き、メーカーが技術の限界を押し上げることを可能にし、自社の製品が市場の最前線に留まり続けることを保証します。
| アイテム | 生産 | 研究 | ダミー |
| クリスタルパラメータ | |||
| ポリタイプ | 4H | ||
| 面方位エラー | <11-20 >4±0.15° | ||
| 電気的パラメータ | |||
| ドーパント | n型窒素 | ||
| 抵抗率 | 0.015～0.025Ω・cm | ||
| 機械的パラメータ | |||
| 直径 | 150.0±0.2mm | ||
| 厚さ | 350±25μm | ||
| プライマリフラット方向 | [1-100]±5° | ||
| 一次平坦長さ | 47.5±1.5mm | ||
| 二次フラット | なし | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
| 弓 | -15μm～15μm | -35μm～35μm | -45μm～45μm |
| ワープ | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| 表面(Si面)粗さ(AFM) | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 構造 | |||
| マイクロパイプ密度 | <1ea/cm2 | <10ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| 金属不純物 | ≤5E10原子/cm2 | NA | |
| 境界性パーソナリティ障害 | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| フロント品質 | |||
| フロント | Si | ||
| 表面仕上げ | Si面CMP | ||
| 粒子 | ≤60ea/ウェーハ (サイズ≧0.3μm) | NA | |
| 傷 | ≤5ea/mm。累積長さ ≤ 直径 | 累積長さ≤2*直径 | NA |
| オレンジの皮/穴/汚れ/縞模様/ひび割れ/汚染 | なし | NA | |
| エッジ欠け/圧痕/欠損/六角プレート | なし | ||
| ポリタイプ領域 | なし | 累積面積≤20% | 累積面積≤30% |
| 前面レーザーマーキング | なし | ||
| バック品質 | |||
| 裏面仕上げ | C面CMP | ||
| 傷 | ≤5ea/mm、累積長さ≤2*直径 | NA | |
| 裏面欠陥（エッジ欠け/凹み） | なし | ||
| 裏面粗さ | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 背面のレーザーマーキング | 1mm（上端から） | ||
| 角 | |||
| 角 | 面取り | ||
| 包装 | |||
| 包装 | 真空包装でエピ対応可能 マルチウエハカセットパッケージング | ||
| ※注：「NA」は要望なしを意味します。 記載のない項目についてはSEMI-STDを参照している可能性があります。 | |||
