Semicera の SiN セラミックスプレーン基板は、さまざまな電子および産業用途に高性能ソリューションを提供します。優れた熱伝導率と機械的強度で知られるこれらの基板は、要求の厳しい環境でも信頼性の高い動作を保証します。
当社の SiN (窒化ケイ素) セラミックは、極端な温度や高応力条件に耐えられるように設計されており、高出力エレクトロニクスや高度な半導体デバイスに適しています。耐久性と熱衝撃に対する耐性は、信頼性と性能が重要な用途での使用に最適です。
セミセラの精密製造プロセスにより、各プレーン基板が厳格な品質基準を満たしていることが保証されます。これにより、電子アセンブリやシステムで最適なパフォーマンスを達成するために不可欠な、一貫した厚さと表面品質を備えた基板が得られます。
SiN セラミックスプレーン基板は、熱的および機械的利点に加えて、優れた電気絶縁特性を備えています。これにより、電気的干渉が最小限に抑えられ、電子部品の全体的な安定性と効率が向上し、動作寿命が向上します。
Semicera の SiN セラミックス プレーン基板を選択することは、高度な材料科学と一流の製造を組み合わせた製品を選択することになります。品質と革新に対する当社の取り組みは、最高の業界標準を満たす基板をお届けすることを保証し、先端技術プロジェクトの成功をサポートします。
| アイテム | 生産 | 研究 | ダミー |
| クリスタルパラメータ | |||
| ポリタイプ | 4H | ||
| 面方位エラー | <11-20 >4±0.15° | ||
| 電気的パラメータ | |||
| ドーパント | n型窒素 | ||
| 抵抗率 | 0.015～0.025Ω・cm | ||
| 機械的パラメータ | |||
| 直径 | 150.0±0.2mm | ||
| 厚さ | 350±25μm | ||
| プライマリフラット方向 | [1-100]±5° | ||
| 一次平坦長さ | 47.5±1.5mm | ||
| 二次フラット | なし | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
| 弓 | -15μm～15μm | -35μm～35μm | -45μm～45μm |
| ワープ | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| 表面(Si面)粗さ(AFM) | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 構造 | |||
| マイクロパイプ密度 | <1ea/cm2 | <10ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| 金属不純物 | ≤5E10原子/cm2 | NA | |
| 境界性パーソナリティ障害 | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| フロント品質 | |||
| フロント | Si | ||
| 表面仕上げ | Si面CMP | ||
| 粒子 | ≤60ea/ウェーハ (サイズ≧0.3μm) | NA | |
| 傷 | ≤5ea/mm。累積長さ ≤ 直径 | 累積長さ≤2*直径 | NA |
| オレンジの皮/穴/汚れ/縞模様/ひび割れ/汚染 | なし | NA | |
| エッジ欠け/圧痕/欠損/六角プレート | なし | ||
| ポリタイプ領域 | なし | 累積面積≤20% | 累積面積≤30% |
| 前面レーザーマーキング | なし | ||
| バック品質 | |||
| 裏面仕上げ | C面CMP | ||
| 傷 | ≤5ea/mm、累積長さ≤2*直径 | NA | |
| 裏面欠陥（エッジ欠け/凹み） | なし | ||
| 裏面粗さ | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 背面のレーザーマーキング | 1mm（上端から） | ||
| 角 | |||
| 角 | 面取り | ||
| 包装 | |||
| 包装 | 真空包装でエピ対応可能 マルチウエハカセットパッケージング | ||
| ※注：「NA」は要望なしを意味します。 記載のない項目についてはSEMI-STDを参照している可能性があります。 | |||
