SOIウェーハ

簡単な説明:

SOI ウェーハは 3 層のサンドイッチ状構造です。最上層 (デバイス層)、埋め込み酸素層の中間 (絶縁 SiO2 層用)、および底部基板 (バルクシリコン) が含まれます。 SOI ウェーハは SIMOX 法とウェーハ接合技術を使用して製造され、これによりデバイス層をより薄く、より正確に、厚さを均一にし、欠陥密度を低くすることができます。

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製品詳細

製品タグ

SOIウェーハ(1)

応用分野

1. 高速集積回路

2. マイクロ波装置

3. 高温集積回路

4. パワーデバイス

5. 低電力集積回路

6.MEMS

7. 低電圧集積回路

アイテム		口論
全体	ウェーハ直径結晶圆寸法(mm)	50/75/100/125/150/200mm±25um
	弓/ワープ翘曲度(	<10um
	粒子粒度(	0.3um<30ea
	フラット/ノッチ定位边/定位槽	フラットまたはノッチ
	エッジの除外边缘去除(mm)	/
デバイス層器具層	デバイス層の種類/ドーパント器具层掺杂種類	N型/P型 B/P/Sb/As
	デバイス層の方向デバイス層結晶方向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	デバイス層の厚さデバイス層の厚さ(um)	0.1～300um
	デバイス層の抵抗率機器層電気抵抗率(ohm・cm)	0.001～100,000Ω・cm
	デバイス層パーティクル器具層粒度(	<30ea@0.3
	デバイス層 TTV 器具层TTV(	<10um
	デバイス層の仕上げ器具層表面処理	ポリッシュ
箱	埋め込み熱酸化物の厚さ埋氧層の厚さ(um)	50nm(500Å)～15um
ハンドルレイヤー衬底	ハンドルウェーハタイプ/ドーパント衬底層タイプ	N型/P型 B/P/Sb/As
	ハンドルウェハの向き衬底晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	ハンドルウェーハの抵抗率衬底電気抵抗率(ohm・cm)	0.001～100,000Ω・cm
	ハンドルウェハの厚さ衬底厚さ(um)	>100um
	ハンドルウェハー仕上げ衬底表面処理	ポリッシュ
お客様のご要望に合わせて目標仕様のSOIウェーハをカスタマイズ可能です。