Semicera は業界をリードするウェーハキャリアは、製造プロセスのさまざまな段階にわたって、繊細な半導体ウェーハを優れた保護とシームレスに輸送できるように設計されています。私たちのウェーハキャリアは、現代の半導体製造の厳しい要求を満たすよう細心の注意を払って設計されており、ウエハーの完全性と品質が常に維持されることを保証します。
主な特徴:
• プレミアム素材構造:高品質で汚染に強い素材で作られているため、耐久性と寿命が保証され、クリーンルーム環境に最適です。
•精密な設計:正確なスロットの位置合わせと安全な保持機構を備えており、取り扱いや輸送中のウェハの滑りや損傷を防ぎます。
•多彩な互換性:幅広いウェーハサイズと厚さに対応し、さまざまな半導体アプリケーションに柔軟性を提供します。
•人間工学に基づいた取り扱い:軽量でユーザーフレンドリーな設計により、積み降ろしが容易になり、作業効率が向上し、取り扱い時間が短縮されます。
•カスタマイズ可能なオプション:材料の選択、サイズ調整、ワークフロー統合を最適化するためのラベル付けなど、特定の要件を満たすカスタマイズを提供します。
Semicera で半導体製造プロセスを強化ウェーハキャリア、ウェーハを汚染や機械的損傷から保護するための完璧なソリューションです。品質と革新に対する当社の取り組みを信頼して、業界標準を満たすだけでなくそれを超える製品を提供し、お客様の業務がスムーズかつ効率的に実行されるようにします。
| アイテム | 生産 | 研究 | ダミー |
| クリスタルパラメータ | |||
| ポリタイプ | 4H | ||
| 面方位エラー | <11-20 >4±0.15° | ||
| 電気的パラメータ | |||
| ドーパント | n型窒素 | ||
| 抵抗率 | 0.015～0.025Ω・cm | ||
| 機械的パラメータ | |||
| 直径 | 150.0±0.2mm | ||
| 厚さ | 350±25μm | ||
| プライマリフラット方向 | [1-100]±5° | ||
| 一次平坦長さ | 47.5±1.5mm | ||
| 二次フラット | なし | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
| 弓 | -15μm～15μm | -35μm～35μm | -45μm～45μm |
| ワープ | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| 表面(Si面)粗さ(AFM) | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 構造 | |||
| マイクロパイプ密度 | <1ea/cm2 | <10ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| 金属不純物 | ≤5E10原子/cm2 | NA | |
| 境界性パーソナリティ障害 | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| フロント品質 | |||
| フロント | Si | ||
| 表面仕上げ | Si面CMP | ||
| 粒子 | ≤60ea/ウェーハ (サイズ≧0.3μm) | NA | |
| 傷 | ≤5ea/mm。累積長さ ≤ 直径 | 累積長さ≤2*直径 | NA |
| オレンジの皮/穴/汚れ/縞模様/ひび割れ/汚染 | なし | NA | |
| エッジ欠け/圧痕/欠損/六角プレート | なし | ||
| ポリタイプ領域 | なし | 累積面積≤20% | 累積面積≤30% |
| 前面レーザーマーキング | なし | ||
| バック品質 | |||
| 裏面仕上げ | C面CMP | ||
| 傷 | ≤5ea/mm、累積長さ≤2*直径 | NA | |
| 裏面欠陥（エッジ欠け/凹み） | なし | ||
| 裏面粗さ | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 背面のレーザーマーキング | 1mm（上端から） | ||
| 角 | |||
| 角 | 面取り | ||
| 包装 | |||
| 包装 | 真空包装でエピ対応可能 マルチウエハカセットパッケージング | ||
| ※注：「NA」は要望なしを意味します。 記載のない項目についてはSEMI-STDを参照している可能性があります。 | |||
