セミセラが導入したのは、ウエハカセットキャリア、半導体ウェーハを安全かつ効率的に取り扱うための重要なソリューションです。このキャリアは、半導体業界の厳しい要件を満たすように設計されており、製造プロセス全体を通じてウェーハの保護と完全性を保証します。
主な特徴:
•堅牢な構造:のウエハカセットキャリアは、半導体環境の厳しさに耐える高品質で耐久性のある素材で作られており、汚染や物理的損傷に対する信頼性の高い保護を提供します。
•正確な位置合わせ:正確なウェーハの位置合わせ用に設計されたこのキャリアは、ウェーハが所定の位置にしっかりと保持されることを保証し、輸送中の位置ずれや損傷のリスクを最小限に抑えます。
•簡単な取り扱い:人間工学に基づいて使いやすさを追求したこのキャリアは、積み下ろしのプロセスを簡素化し、クリーンルーム環境でのワークフローの効率を向上させます。
•互換性:幅広いウェーハサイズと種類に対応しており、さまざまな半導体製造ニーズに多用途に対応します。
Semicera の比類のない保護と利便性を体験してくださいウエハカセットキャリア。当社のキャリアは、最高の半導体製造基準を満たすように設計されており、最初から最後までウェーハを新品の状態に保つことができます。セミセラは、最も重要なプロセスに必要な品質と信頼性を提供します。
| アイテム | 生産 | 研究 | ダミー |
| クリスタルパラメータ | |||
| ポリタイプ | 4H | ||
| 面方位エラー | <11-20 >4±0.15° | ||
| 電気的パラメータ | |||
| ドーパント | n型窒素 | ||
| 抵抗率 | 0.015～0.025Ω・cm | ||
| 機械的パラメータ | |||
| 直径 | 150.0±0.2mm | ||
| 厚さ | 350±25μm | ||
| プライマリフラット方向 | [1-100]±5° | ||
| 一次平坦長さ | 47.5±1.5mm | ||
| 二次フラット | なし | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
| 弓 | -15μm～15μm | -35μm～35μm | -45μm～45μm |
| ワープ | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| 表面(Si面)粗さ(AFM) | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 構造 | |||
| マイクロパイプ密度 | <1ea/cm2 | <10ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| 金属不純物 | ≤5E10原子/cm2 | NA | |
| 境界性パーソナリティ障害 | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| フロント品質 | |||
| フロント | Si | ||
| 表面仕上げ | Si面CMP | ||
| 粒子 | ≤60ea/ウェーハ (サイズ≧0.3μm) | NA | |
| 傷 | ≤5ea/mm。累積長さ ≤ 直径 | 累積長さ≤2*直径 | NA |
| オレンジの皮/穴/汚れ/縞模様/ひび割れ/汚染 | なし | NA | |
| エッジ欠け/圧痕/欠損/六角プレート | なし | ||
| ポリタイプ領域 | なし | 累積面積≤20% | 累積面積≤30% |
| 前面レーザーマーキング | なし | ||
| バック品質 | |||
| 裏面仕上げ | C面CMP | ||
| 傷 | ≤5ea/mm、累積長さ≤2*直径 | NA | |
| 裏面欠陥（エッジ欠け/凹み） | なし | ||
| 裏面粗さ | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 背面のレーザーマーキング | 1mm（上端から） | ||
| 角 | |||
| 角 | 面取り | ||
| 包装 | |||
| 包装 | 真空包装でエピ対応可能 マルチウエハカセットパッケージング | ||
| ※注：「NA」は要望なしを意味します。 記載のない項目についてはSEMI-STDを参照している可能性があります。 | |||
