ウェーハサセプタ

ウェーハサセプタエピタキシープロセスにおいて不可欠なコアコンポーネントです。セミセラは次のような優れたソリューションを提供します。SiエピタキシーそしてSiCエピタキシー精密な設計と製造によるプロセス。当社のウェハサセプタは、エピタキシープロセス中の均一な熱分布を保証し、単結晶シリコン（Monocrystalline Silicon）層の堆積品質を向上させます。さまざまなタイプで優れたパフォーマンスを発揮しますMOCVDサセプタそしてバレルサセプターさまざまな半導体製造プロセスに適しています。

セミセラさんウエハサセプタは高温耐性、耐食性に優れた高強度材料でできており、複雑なエピタキシープロセス条件下でも長期間安定した状態を維持します。 Si エピタキシー プロセスでも SiC エピタキシー プロセスでも、セミセラのサセプタは正確な温度制御をサポートし、エピタキシー成長中のウェーハの品質の一貫性を確保できます。

さらに、セミセラのウェーハサセプタは、特に MOCVD サセプタおよびバレルサセプタの用途において、さまざまな装置および仕様要件に適合するように精密に加工されています。優れた材料選択とプロセス制御により、当社の製品は生産効率を向上させるだけでなく、プロセスにおける不良率とエネルギー消費を大幅に削減します。

半導体業界の非常に要求の厳しいエピタキシープロセスにとって、Semikera のウェーハサセプタは理想的な選択肢です。研究開発であろうと量産であろうと、当社のウェーハサセプタは、お客様が Si エピタキシーおよび SiC エピタキシープロセスにおいてより高い信頼性とより優れた結晶構造を達成できるよう支援します。