Semicera 3C-SiC ウェーハ基板は、次世代パワー エレクトロニクスおよび高周波デバイスに堅牢なプラットフォームを提供するように設計されています。優れた熱特性と電気特性を備えたこれらの基板は、現代技術の厳しい要件を満たすように設計されています。
セミセラ ウェーハ基板の 3C-SiC (立方晶炭化ケイ素) 構造は、他の半導体材料と比較して高い熱伝導率や低い熱膨張係数などの独自の利点を備えています。そのため、極端な温度や高電力条件下で動作するデバイスに最適です。
高い絶縁破壊電圧と優れた化学的安定性を備えたセミセラ 3C-SiC ウェハ基板は、長期にわたる性能と信頼性を保証します。これらの特性は、効率と耐久性が最重要視される高周波レーダー、ソリッドステート照明、パワーインバーターなどのアプリケーションにとって重要です。
Semicera の品質に対する取り組みは、3C-SiC ウェハ基板の細心の注意を払った製造プロセスに反映されており、すべてのバッチにわたる均一性と一貫性を保証しています。この精度は、その上に構築される電子デバイスの全体的なパフォーマンスと寿命に貢献します。
Semicera 3C-SiC ウェーハ基板を選択することにより、メーカーは、より小さく、より高速で、より効率的な電子部品の開発を可能にする最先端の材料を利用できるようになります。セミセラは、半導体業界の進化する需要を満たす信頼性の高いソリューションを提供することで、技術革新をサポートし続けます。
| アイテム | 生産 | 研究 | ダミー |
| クリスタルパラメータ | |||
| ポリタイプ | 4H | ||
| 面方位エラー | <11-20 >4±0.15° | ||
| 電気的パラメータ | |||
| ドーパント | n型窒素 | ||
| 抵抗率 | 0.015～0.025Ω・cm | ||
| 機械的パラメータ | |||
| 直径 | 150.0±0.2mm | ||
| 厚さ | 350±25μm | ||
| プライマリフラット方向 | [1-100]±5° | ||
| 一次平坦長さ | 47.5±1.5mm | ||
| 二次フラット | なし | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
| 弓 | -15μm～15μm | -35μm～35μm | -45μm～45μm |
| ワープ | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| 表面(Si面)粗さ(AFM) | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 構造 | |||
| マイクロパイプ密度 | <1ea/cm2 | <10ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| 金属不純物 | ≤5E10原子/cm2 | NA | |
| 境界性パーソナリティ障害 | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| フロント品質 | |||
| フロント | Si | ||
| 表面仕上げ | Si面CMP | ||
| 粒子 | ≤60ea/ウェーハ (サイズ≧0.3μm) | NA | |
| 傷 | ≤5ea/mm。累積長さ ≤ 直径 | 累積長さ≤2*直径 | NA |
| オレンジの皮/穴/汚れ/縞模様/ひび割れ/汚染 | なし | NA | |
| エッジ欠け/圧痕/欠損/六角プレート | なし | ||
| ポリタイプ領域 | なし | 累積面積≤20% | 累積面積≤30% |
| 前面レーザーマーキング | なし | ||
| バック品質 | |||
| 裏面仕上げ | C面CMP | ||
| 傷 | ≤5ea/mm、累積長さ≤2*直径 | NA | |
| 裏面欠陥（エッジ欠け/凹み） | なし | ||
| 裏面粗さ | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 背面のレーザーマーキング | 1mm（上端から） | ||
| 角 | |||
| 角 | 面取り | ||
| 包装 | |||
| 包装 | 真空包装でエピ対応可能 マルチウエハカセットパッケージング | ||
| ※注：「NA」は要望なしを意味します。 記載のない項目についてはSEMI-STDを参照している可能性があります。 | |||
