Semicera の 8 インチ N 型 SiC ウェーハは、半導体革新の最前線にあり、高性能電子デバイスの開発に強固な基盤を提供します。これらのウェーハは、パワーエレクトロニクスから高周波回路に至るまで、現代の電子アプリケーションの厳しい要求を満たすように設計されています。
これらの SiC ウェーハの N 型ドーピングにより導電性が向上し、パワー ダイオード、トランジスタ、アンプなどの幅広い用途に最適です。優れた導電性により、エネルギー損失を最小限に抑え、効率的な動作が保証されます。これは、高周波数および高電力レベルで動作するデバイスにとって重要です。
Semicera は、高度な製造技術を採用して、優れた表面均一性と最小限の欠陥を備えた SiC ウェーハを製造します。このレベルの精度は、航空宇宙、自動車、通信産業など、一貫した性能と耐久性が必要な用途には不可欠です。
Semicera の 8 インチ N 型 SiC ウェーハを生産ラインに組み込むことで、過酷な環境や高温に耐えられるコンポーネントを作成するための基盤が提供されます。これらのウェーハは、電力変換、RF 技術、その他の要求の厳しい分野のアプリケーションに最適です。
Semicera の 8 インチ N 型 SiC ウェーハを選択することは、高品質の材料科学と精密エンジニアリングを組み合わせた製品に投資することを意味します。セミセラは、半導体技術の機能の向上に努め、電子デバイスの効率と信頼性を向上させるソリューションを提供します。
| アイテム | 生産 | 研究 | ダミー |
| クリスタルパラメータ | |||
| ポリタイプ | 4H | ||
| 面方位エラー | <11-20 >4±0.15° | ||
| 電気的パラメータ | |||
| ドーパント | n型窒素 | ||
| 抵抗率 | 0.015～0.025Ω・cm | ||
| 機械的パラメータ | |||
| 直径 | 150.0±0.2mm | ||
| 厚さ | 350±25μm | ||
| プライマリフラット方向 | [1-100]±5° | ||
| 一次平坦長さ | 47.5±1.5mm | ||
| 二次フラット | なし | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
| 弓 | -15μm～15μm | -35μm～35μm | -45μm～45μm |
| ワープ | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| 表面(Si面)粗さ(AFM) | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 構造 | |||
| マイクロパイプ密度 | <1ea/cm2 | <10ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| 金属不純物 | ≤5E10原子/cm2 | NA | |
| 境界性パーソナリティ障害 | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| フロント品質 | |||
| フロント | Si | ||
| 表面仕上げ | Si面CMP | ||
| 粒子 | ≤60ea/ウェーハ (サイズ≧0.3μm) | NA | |
| 傷 | ≤5ea/mm。累積長さ ≤ 直径 | 累積長さ≤2*直径 | NA |
| オレンジの皮/穴/汚れ/縞模様/ひび割れ/汚染 | なし | NA | |
| エッジ欠け/圧痕/欠損/六角プレート | なし | ||
| ポリタイプ領域 | なし | 累積面積≤20% | 累積面積≤30% |
| 前面レーザーマーキング | なし | ||
| バック品質 | |||
| 裏面仕上げ | C面CMP | ||
| 傷 | ≤5ea/mm、累積長さ≤2*直径 | NA | |
| 裏面欠陥（エッジ欠け/凹み） | なし | ||
| 裏面粗さ | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 背面のレーザーマーキング | 1mm（上端から） | ||
| 角 | |||
| 角 | 面取り | ||
| 包装 | |||
| 包装 | 真空包装でエピ対応可能 マルチウエハカセットパッケージング | ||
| ※注：「NA」は要望なしを意味します。 記載のない項目についてはSEMI-STDを参照している可能性があります。 | |||
