窒化ケイ素結合炭化ケイ素
Si3N4結合SiCセラミック耐火物は、高純度のSIC微粉末とシリコン粉末を混合し、スリップキャスティングコースの後、1400〜1500℃で反応焼結します。焼結過程で高純度窒素を炉内に充填すると、シリコンは窒素と反応してSi3N4を生成します。そのため、Si3N4結合SiC材料は、主原料として窒化ケイ素（23％）と炭化ケイ素（75％）で構成されます。有機材料と混合し、混合、押出、または流し込みによって成形し、乾燥および窒素化後に製造されます。
特徴と利点:
1.H高い温度耐性
2.高い熱伝導性と耐衝撃性
3.高い機械的強度と耐摩耗性
4.優れたエネルギー効率と耐食性
当社は、高品質で精密な加工を施したNSiCセラミック部品を提供します。
1.スリップキャスティング
2.押出加工
3.ユニアキシャルプレス
4.静水圧プレス
材料データシート
| >化学組成 | シック | 75% |
| Si3N4 | ≥23% | |
| フリーシ | 0% | |
| かさ密度(g/cm3) | 2.70～2.80 | |
| 見掛け気孔率(%) | 12～15 | |
| 20℃における曲げ強さ(MPa) | 180～190 | |
| 1200℃における曲げ強さ(MPa) | 207 | |
| 1350℃における曲げ強さ(MPa) | 210 | |
| 20℃における圧縮強度(MPa) | 580 | |
| 1200℃における熱伝導率(w/mk) | 19.6 | |
| 1200℃における熱膨張係数(×10-6/C) | 4.70 | |
| 耐熱衝撃性 | 素晴らしい | |
| 最大。温度(℃) | 1600 | |
WeiTai Energy Technology Co., Ltd. は、先進的な半導体セラミックスの大手サプライヤーであり、高純度の炭化ケイ素セラミックス (特に再結晶化 SiC) と CVD SiC コーティングを同時に提供できる中国唯一のメーカーです。また、当社はアルミナ、窒化アルミニウム、ジルコニア、窒化珪素等のセラミックス分野にも力を入れております。
当社の主な製品には、炭化ケイ素エッチングディスク、炭化ケイ素ボート牽引、炭化ケイ素ウェーハボート（太陽光発電および半導体）、炭化ケイ素炉管、炭化ケイ素カンチレバーパドル、炭化ケイ素チャック、炭化ケイ素ビーム、CVD SiCコーティングおよびTaCが含まれます。コーティング。結晶成長、エピタキシー、エッチング、パッケージング、コーティング、拡散炉などの装置など、主に半導体および太陽光発電産業で使用される製品。
当社は、成形、焼結、加工、コーティング設備などの完全な生産設備を備えており、製品生産に必要なすべてのリンクを完了でき、製品の品質のより高い制御性を備えています。製品のニーズに応じて最適な生産計画を選択できるため、コストを削減し、より競争力のある製品をお客様に提供できます。当社は、注文の配送要件に基づいて、オンライン注文管理システムと連携して、柔軟かつ効率的に生産スケジュールを設定することができ、より迅速で保証された納期をお客様に提供します。
