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パワー半導体とは何ですか?市場の急成長がわかる!
管理者による 2008 年 12 月 23 日
業界の大手企業の 1 つとして、セミセラはお客様に革新的なソリューションを提供することに専念しています。この記事では、パワー半導体の概念を探求し、この市場が急速な成長を遂げている理由を理解します。パワー半導体を理解する...
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静水圧プレス黒鉛の製造技術と主な用途
管理者による 2006 年 12 月 23 日
静水圧プレスグラファイトは、優れた導電性、高温耐性、化学的安定性を備えた新しいタイプのグラファイト材料であり、多くのハイテク分野で広く使用されています。本稿では、主要な製造プロセスを詳しく紹介します。
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半導体炭化ケイ素エピタキシャルディスクの探求: 性能上の利点と応用の見通し
管理者による 23-11-28
今日のエレクトロニクス技術の分野では、半導体材料が重要な役割を果たしています。中でも炭化ケイ素(SiC)はワイドバンドギャップ半導体材料であり、高絶縁破壊電界、高い飽和速度、高速性などの優れた性能上の利点を備えています。
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グラファイトハードフェルト – 革新的な素材、科学技術の新時代を開く
管理者による 23-11-27
新素材グラファイトハードフェルトのため、その製造プロセスは非常にユニークです。混合およびフェルト化のプロセス中に、グラフェン繊維とガラス繊維が相互作用して、グラフェンの高い導電性と高い強度の両方を保持する新しい材料を形成します。
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半導体炭化ケイ素(SiC)ウェハとは
管理者による 23-11-27
半導体炭化ケイ素 (SiC) ウェーハは、近年徐々に登場し、その独特の物理的および化学的特性を備えた新素材であり、半導体産業に新たな活力をもたらしています。単結晶を原料としたSiCウエハーは丁寧に製造されます。
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炭化ケイ素ウェーハの製造プロセス
管理者による 23-11-24
炭化珪素ウエハは、高純度珪素粉末と高純度炭素粉末を原料とし、物理気相移動法(PVT)により炭化珪素結晶を成長させて炭化珪素ウエハに加工したものです。 ①原料の合成。高純度シリコン...
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炭化ケイ素コーティング: 半導体業界の新たな寵児
管理者による 23-11-24
半導体産業の急速な発展に伴い、新素材の炭化ケイ素(SiC)コーティングは徐々に業界のスター素材になりつつあります。炭化ケイ素でコーティングされたグラファイトは、高温/高電圧の半導体電子製品に広く使用されています。
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炭化ケイ素コーティング: 材料科学における新たなブレークスルー
管理者による 23-11-24
科学技術の発展に伴い、新素材の炭化ケイ素コーティングは私たちの生活を少しずつ変えています。物理的または化学的蒸着、スプレーなどの方法で部品の表面に形成されるこのコーティングは、大きな注目を集めています。
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SiC コーティングされたグラファイトバレル
管理者による 2006 年 11 月 23 日
MOCVD 装置の中核コンポーネントの 1 つであるグラファイト ベースは、基板のキャリアおよび加熱体であり、膜材料の均一性と純度を直接決定します。そのため、その品質はエピタキシャル シートの製造および製造工程に直接影響します。 ..
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炭化ケイ素コーティングの製造方法
管理者による 2006 年 11 月 23 日
現在、SiC コーティングの作製方法には主にゲルゾル法、埋め込み法、ブラシコーティング法、プラズマ溶射法、化学ガス反応法 (CVR) および化学蒸着法 (CVD) が含まれます。埋め込み方法: この方法は一種の高度なものです。
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弊社( Semicera )のパートナーである SAN'an Optoelectronics の株価上昇おめでとうございます
管理者による 23-10-26
10月24日 -- 三安オプトエレクトロニクスの株価は、中国の半導体メーカーが同社の炭化ケイ素工場が完成すれば、スイスのハイテク大手STマイクロエレクトロニクスとの同社の自動車チップ合弁事業に供給されると発表した後、今日3.8倍まで上昇した。 。
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炭化ケイ素エピタキシャル技術のブレークスルー:中国におけるケイ素/炭化物エピタキシャル・リアクター製造の先頭に立つ
管理者による、23-10-24
当社は、炭化ケイ素エピタキシー技術における当社の専門知識における画期的な成果を発表できることを大変うれしく思っています。当社の工場は、シリコン/カーバイドエピタキシャルリアクターを製造できる中国の大手メーカーの1つであることを誇りに思っています。卓越した品質へのこだわりにより...
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