の中核コンポーネントの 1 つとして、MOCVD装置、グラファイトベースは基板のキャリアおよび加熱体であり、フィルム材料の均一性と純度を直接決定するため、その品質はエピタキシャルシートの調製に直接影響を与えると同時に、グラファイトベースの数の増加に伴い、用途や作業条件の変化に応じて、消耗品に属し、非常に簡単に着用できます。
黒鉛は熱伝導率と安定性に優れているため、製品のベース成分として優れた利点を持っています。MOCVD装置しかし、製造プロセスにおいて、腐食性ガスや金属有機物の残留によりグラファイトが粉末を腐食し、グラファイトベースの耐用年数が大幅に減少します。同時に、落下した黒鉛粉末がチップを汚染する原因となります。
コーティング技術の出現により、表面の粉体を固定し、熱伝導率を高め、熱分布を均一にすることができ、この問題を解決する主要な技術となっています。グラファイトベースMOCVD装置使用環境では、グラファイトベースの表面コーティングは次の特性を満たす必要があります。
(1) グラファイトベースを完全に包み込むことができ、密度が良好です。そうでない場合、グラファイトベースは腐食性ガス中で腐食しやすいです。
(2) グラファイトベースとの結合強度が高く、高温・低温サイクルを繰り返してもコーティングが剥がれにくい。
(3) 化学的安定性に優れており、高温や腐食性雰囲気下でのコーティングの破損を防ぎます。
SiC は、耐食性、高熱伝導率、熱衝撃耐性、および高い化学的安定性という利点があり、GaN エピタキシャル雰囲気中で良好に機能します。さらに、SiC の熱膨張係数はグラファイトの熱膨張係数とほとんど変わらないため、SiC はグラファイトベースの表面コーティングに適した材料です。
現在、一般的なSiCは主に3C、4H、6H型であり、結晶型の違いによりSiCの用途が異なります。たとえば、4H-SiC は高出力デバイスを製造できます。6H-SiC は最も安定しており、光電デバイスを製造できます。3C-SiC は GaN と構造が似ているため、GaN エピタキシャル層の生成や SiC-GaN RF デバイスの製造に使用できます。3C-SiC は一般に次のように知られています。β-SiC、およびその重要な用途β-SiCは皮膜やコーティング材なので、β-SiCは現在コーティングの主な材料です。
投稿日時: 2023 年 11 月 6 日