Si基板

簡単な説明:

優れた精度と高純度を備えたセミセラの Si 基板は、エピウェーハや酸化ガリウム (Ga2O3) の製造などの重要なアプリケーションにおいて、信頼性が高く一貫したパフォーマンスを保証します。高度なマイクロエレクトロニクスの製造をサポートするように設計されたこの基板は、優れた互換性と安定性を提供し、通信、自動車、産業分野の最先端技術に不可欠な素材となっています。


製品詳細

製品タグ

セミセラのSi基板は、高性能半導体デバイスの製造に欠かせない部品です。高純度のシリコン (Si) から設計されたこの基板は、優れた均一性、安定性、優れた導電性を備えており、半導体業界の幅広い高度なアプリケーションに最適です。 Si ウェハ、SiC 基板、SOI ウェハ、または SiN 基板の製造に使用されるかどうかに関係なく、セミセラ Si 基板は一貫した品質と優れた性能を提供し、現代のエレクトロニクスおよび材料科学の増大する需要に応えます。

高純度および高精度による比類のないパフォーマンス

Semicera の Si 基板は、高純度で厳密な寸法制御を保証する高度なプロセスを使用して製造されています。基板は、エピウェーハや AlN ウェーハなどのさまざまな高性能材料を製造するための基盤として機能します。 Si 基板の精度と均一性により、次世代半導体の製造に使用される薄膜エピタキシャル層やその他の重要なコンポーネントの作成に最適です。酸化ガリウム (Ga2O3) やその他の先端材料を扱う場合でも、セミセラの Si 基板は最高レベルの信頼性とパフォーマンスを保証します。

半導体製造におけるアプリケーション

半導体産業では、セミセラの Si 基板は、Si ウェハや SiC 基板の製造を含む幅広い用途で利用されており、活性層の堆積のための安定した信頼性の高いベースを提供します。基板は、高度なマイクロエレクトロニクスや集積回路に不可欠な SOI ウェーハ (シリコン オン インシュレータ) の製造において重要な役割を果たします。さらに、Si基板上に構築されたエピウェーハ(エピタキシャルウェーハ)は、パワートランジスタ、ダイオード、集積回路などの高性能半導体デバイスの製造に不可欠です。

Si 基板は、パワー エレクトロニクスにおける高出力アプリケーションに使用される有望なワイドバンドギャップ材料である酸化ガリウム (Ga2O3) を使用したデバイスの製造もサポートします。さらに、セミセラの Si 基板は、AlN ウェハやその他の先進的な基板と互換性があるため、ハイテク産業の多様な要件を満たすことができ、通信、自動車、産業分野における最先端のデバイスの製造に理想的なソリューションとなります。 。

ハイテク用途向けの信頼性と一貫した品質

Semicera の Si 基板は、半導体製造の厳しい要求を満たすように慎重に設計されています。その卓越した構造的完全性と高品質な表面特性により、ウェーハ搬送用のカセット システムでの使用や、半導体デバイスの高精度層の作成に理想的な材料となっています。さまざまなプロセス条件下でも一貫した品質を維持する基板の能力により、欠陥が最小限に抑えられ、最終製品の歩留まりと性能が向上します。

優れた熱伝導性、機械的強度、高純度を備えたセミセラの Si 基板は、半導体製造において最高水準の精度、信頼性、性能の達成を目指すメーカーにとって最適な材料です。

高純度、高性能ソリューションにはセミセラの Si 基板をお選びください

半導体業界のメーカーにとって、セミセラの Si 基板は、Si ウェハの製造からエピウェハや SOI ウェハの作成まで、幅広い用途に堅牢で高品質のソリューションを提供します。比類のない純度、精度、信頼性を備えたこの基板は、最先端の半導体デバイスの製造を可能にし、長期的な性能と最適な効率を保証します。 Si 基板のニーズに合わせて Semicera を選択し、将来のテクノロジーの要求を満たすように設計された製品を信頼してください。

アイテム

生産

研究

ダミー

クリスタルパラメータ

ポリタイプ

4H

面方位エラー

<11-20 >4±0.15°

電気的パラメータ

ドーパント

n型窒素

抵抗率

0.015~0.025Ω・cm

機械的パラメータ

直径

150.0±0.2mm

厚さ

350±25μm

プライマリフラット方向

[1-100]±5°

一次平坦長さ

47.5±1.5mm

二次フラット

なし

TTV

≤5μm

≤10μm

≤15μm

LTV

≤3μm(5mm*5mm)

≤5μm(5mm*5mm)

≤10μm(5mm*5mm)

-15μm~15μm

-35μm~35μm

-45μm~45μm

ワープ

≤35μm

≤45μm

≤55μm

表面(Si面)粗さ(AFM)

Ra≦0.2nm (5μm*5μm)

構造

マイクロパイプ密度

<1ea/cm2

<10ea/cm2

<15 ea/cm2

金属不純物

≤5E10原子/cm2

NA

境界性パーソナリティ障害

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

フロント品質

フロント

Si

表面仕上げ

Si面CMP

粒子

≤60ea/ウェーハ (サイズ≧0.3μm)

NA

≤5ea/mm。累積長さ ≤ 直径

累積長さ≤2*直径

NA

オレンジの皮/穴/汚れ/縞模様/ひび割れ/汚染

なし

NA

エッジ欠け/圧痕/欠損/六角プレート

なし

ポリタイプ領域

なし

累積面積≤20%

累積面積≤30%

前面レーザーマーキング

なし

バック品質

裏面仕上げ

C面CMP

≤5ea/mm、累積長さ≤2*直径

NA

裏面欠陥(エッジ欠け/凹み)

なし

裏面粗さ

Ra≦0.2nm (5μm*5μm)

背面のレーザーマーキング

1mm(上端から)

面取り

包装

包装

真空包装でエピ対応可能

マルチウエハカセットパッケージング

※注:「NA」は要望なしを意味します。 記載のない項目についてはSEMI-STDを参照している可能性があります。

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SiCウェーハ

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