炭化ケイ素コーティンググラファイトサセプター

簡単な説明:

Semicera Semiconductor の炭化ケイ素コーティング グラファイト サセプタは、エピタキシー アプリケーションに優れた熱伝導性と耐久性を提供します。優れた SiC コーティング技術でエピタキシャル プロセスを強化するように設計された先進的なサセプタについては、セミセラにお任せください。


製品詳細

製品タグ

説明

Semicera の SiC コーティングされたグラファイト サセプターは、高度な化学蒸着 (CVD) プロセスを通じて炭化ケイ素 (SiC) で注意深くコーティングされた高品質のグラファイト基板を使用して設計されています。この革新的な設計により、熱衝撃や化学劣化に対する優れた耐性が保証され、SiC コーティングされたグラファイト サセプターの寿命が大幅に延長され、半導体製造プロセス全体にわたって信頼性の高いパフォーマンスが保証されます。

主な特徴:

1. 優れた熱伝導性SiC コーティングされたグラファイト サセプターは、半導体製造中の効率的な熱放散にとって重要な優れた熱伝導率を示します。この機能により、ウェーハ表面の温度勾配が最小限に抑えられ、望ましい半導体特性を達成するために不可欠な均一な温度分布が促進されます。

2. 堅牢な化学的および熱的衝撃耐性SiC コーティングは、化学腐食や熱衝撃に対する強力な保護を提供し、過酷な処理環境でもグラファイト サセプターの完全性を維持します。この耐久性の向上により、ダウンタイムが減少し、寿命が延長され、半導体製造施設の生産性とコスト効率の向上に貢献します。

3. 特定のニーズに合わせたカスタマイズ当社の SiC コーティングされたグラファイトサセプターは、特定の要件や好みに合わせてカスタマイズできます。当社では、サイズ調整やコーティング厚のバリエーションなど、さまざまなカスタマイズ オプションを提供しており、さまざまな用途やプロセス パラメーターに合わせて設計の柔軟性と最適化されたパフォーマンスを確保します。

用途:

用途セミセラ SiC コーティングは、以下を含む半導体製造のさまざまな段階で利用されています。
1. -LEDチップの製造
2. - ポリシリコンの製造
3. -半導体結晶成長
4. -シリコンおよびSiCエピタキシー
5. - 熱酸化と拡散 (TO&D)

技術仕様:

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