Semicera の SOI ウェーハ (シリコン オン インシュレータ) は、優れた電気絶縁性と熱性能を実現するように設計されています。絶縁層上のシリコン層を特徴とするこの革新的なウェハ構造は、デバイスの性能向上と消費電力の削減を保証し、さまざまなハイテクアプリケーションに最適です。
当社の SOI ウェーハは、寄生容量を最小限に抑え、デバイスの速度と効率を向上させることにより、集積回路に優れた利点をもたらします。これは、消費者向けアプリケーションと産業用アプリケーションの両方で高性能とエネルギー効率が不可欠な現代のエレクトロニクスにとって非常に重要です。
セミセラは、高度な製造技術を採用して、一貫した品質と信頼性を備えた SOI ウェーハを生産します。これらのウェーハは優れた断熱性を備えているため、高密度電子デバイスや電源管理システムなど、放熱が懸念される環境での使用に適しています。
半導体製造で SOI ウェーハを使用すると、より小さく、より高速で、より信頼性の高いチップの開発が可能になります。セミセラの精密エンジニアリングへの取り組みにより、当社の SOI ウェーハは通信、自動車、家庭用電化製品などの分野の最先端技術に必要な高い基準を確実に満たします。
Semicera の SOI ウェーハを選択することは、エレクトロニクスおよびマイクロエレクトロニクス技術の進歩をサポートする製品に投資することを意味します。当社のウェーハは、パフォーマンスと耐久性が向上するように設計されており、ハイテク プロジェクトの成功に貢献し、イノベーションの最前線に留まることを保証します。
| アイテム | 生産 | 研究 | ダミー |
| クリスタルパラメータ | |||
| ポリタイプ | 4H | ||
| 面方位エラー | <11-20 >4±0.15° | ||
| 電気的パラメータ | |||
| ドーパント | n型窒素 | ||
| 抵抗率 | 0.015～0.025Ω・cm | ||
| 機械的パラメータ | |||
| 直径 | 150.0±0.2mm | ||
| 厚さ | 350±25μm | ||
| プライマリフラット方向 | [1-100]±5° | ||
| 一次平坦長さ | 47.5±1.5mm | ||
| 二次フラット | なし | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
| 弓 | -15μm～15μm | -35μm～35μm | -45μm～45μm |
| ワープ | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| 表面(Si面)粗さ(AFM) | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 構造 | |||
| マイクロパイプ密度 | <1ea/cm2 | <10ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| 金属不純物 | ≤5E10原子/cm2 | NA | |
| 境界性パーソナリティ障害 | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| フロント品質 | |||
| フロント | Si | ||
| 表面仕上げ | Si面CMP | ||
| 粒子 | ≤60ea/ウェーハ (サイズ≧0.3μm) | NA | |
| 傷 | ≤5ea/mm。累積長さ ≤ 直径 | 累積長さ≤2*直径 | NA |
| オレンジの皮/穴/汚れ/縞模様/ひび割れ/汚染 | なし | NA | |
| エッジ欠け/圧痕/欠損/六角プレート | なし | ||
| ポリタイプ領域 | なし | 累積面積≤20% | 累積面積≤30% |
| 前面レーザーマーキング | なし | ||
| バック品質 | |||
| 裏面仕上げ | C面CMP | ||
| 傷 | ≤5ea/mm、累積長さ≤2*直径 | NA | |
| 裏面欠陥（エッジ欠け/凹み） | なし | ||
| 裏面粗さ | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 背面のレーザーマーキング | 1mm（上端から） | ||
| 角 | |||
| 角 | 面取り | ||
| 包装 | |||
| 包装 | 真空包装でエピ対応可能 マルチウエハカセットパッケージング | ||
| ※注：「NA」は要望なしを意味します。 記載のない項目についてはSEMI-STDを参照している可能性があります。 | |||
