タンタル超硬コーティング半月

簡単な説明:

8 インチの炭化ケイ素 (SiC) ウェーハの出現により、さまざまな半導体プロセス、特に温度が 2000 度を超えるエピタキシー プロセスの要件がますます厳しくなりました。炭化ケイ素でコーティングされたグラファイトなどの従来のサセプタ材料は、これらの高温で昇華する傾向があり、エピタキシープロセスが中断されます。しかし、CVD タンタルカーバイド (TaC) はこの問題に効果的に対処し、摂氏 2300 度までの温度に耐え、より長い耐用年数を提供します。セミセラにお問い合わせくださいs タンタル超硬コーティング半月当社の高度なソリューションについてさらに詳しく知るには、


製品の詳細

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Semicera は、さまざまなコンポーネントやキャリア向けに特殊な炭化タンタル (TaC) コーティングを提供しています。Semicera の最先端のコーティング プロセスにより、炭化タンタル (TaC) コーティングが高純度、高温安定性、高い化学耐性を実現し、SIC/GAN 結晶と EPI 層の製品品質が向上します (グラファイトコーティングされたTaCサセプター)、主要な原子炉コンポーネントの寿命を延ばします。炭化タンタルTaCコーティングの使用は、エッジの問題を解決し、結晶成長の品質を向上させるためにあり、セミセラは炭化タンタルコーティング技術(CVD)を画期的に解決し、国際先進レベルに達しました。

 

8 インチの炭化ケイ素 (SiC) ウェーハの出現により、さまざまな半導体プロセス、特に温度が 2000 度を超えるエピタキシー プロセスの要件がますます厳しくなりました。炭化ケイ素でコーティングされたグラファイトなどの従来のサセプタ材料は、これらの高温で昇華する傾向があり、エピタキシープロセスが中断されます。しかし、CVD タンタルカーバイド (TaC) はこの問題に効果的に対処し、摂氏 2300 度までの温度に耐え、より長い耐用年数を提供します。セミセラにお問い合わせくださいs タンタル超硬コーティング半月当社の高度なソリューションについてさらに詳しく知るには、

長年の開発を経て、セミセラは次の技術を克服しました。CVD TaC研究開発部門の協力により実現しました。SiCウェーハは成長過程で欠陥が発生しやすいですが、使用後はTaC、その違いは顕著です。以下は、TaC を含むウェーハと含まないウェーハ、および単結晶成長用 Simicera の部品の比較です。

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TaCありとなし

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TaC使用後(右)

また、セミセラのTaCコーティング製品に比べて、より長い耐用年数とより優れた高温耐性を示します。SiCコーティング.実験室での測定により、当社のTaCコーティング摂氏 2300 度までの温度で長期間安定して動作できます。以下にサンプルの例をいくつか示します。

 
3

TaC コーティングされたサセプター

4

TaC コーティングされたリアクターを備えたグラファイト

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