半導体分野では、各コンポーネントの安定性がプロセス全体にとって非常に重要です。ただし、高温環境ではグラファイトは酸化して消失しやすいため、SiC コーティングはグラファイト部品を安定的に保護します。の中にセミセラ当社は独自の黒鉛精製処理装置を有しており、黒鉛の純度を5ppm以下に制御することができます。炭化ケイ素コーティングの純度も 5ppm 未満です。
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エピタキシー成長用サセプタ
シリコン/炭化ケイ素ウェーハを電子デバイスに使用するには、複数のプロセスを経る必要があります。重要なプロセスはシリコン/SIC エピタキシーです。このプロセスでは、シリコン/SIC ウェーハがグラファイト ベース上に運ばれます。Semicera の炭化ケイ素でコーティングされたグラファイト ベースの特別な利点には、非常に高い純度、均一なコーティング、および非常に長い耐用年数が含まれます。また、高い耐薬品性と熱安定性も備えています。
LEDチップの製造
MOCVD リアクターの広範なコーティング中に、遊星ベースまたはキャリアが基板ウェーハを移動させます。母材の性能はコーティングの品質に大きな影響を与え、ひいてはチップのスクラップ率に影響を与えます。Semicera の炭化ケイ素でコーティングされたベースは、高品質 LED ウェーハの製造効率を高め、波長の偏差を最小限に抑えます。また、現在使用されているすべての MOCVD リアクター用に追加のグラファイト コンポーネントも供給しています。ほぼすべてのコンポーネントを炭化ケイ素コーティングでコーティングできます。コンポーネントの直径が最大 1.5M であっても、炭化ケイ素でコーティングできます。
半導体分野、酸化拡散プロセス、など。
半導体プロセスでは、酸化膨張プロセスに高い製品純度が必要です。セミセラでは、大部分の炭化ケイ素部品に対してカスタムおよび CVD コーティング サービスを提供しています。
以下の写真は、粗加工されたSemiceaの炭化ケイ素スラリーと100分間洗浄された炭化ケイ素炉管を示しています。0-レベル埃のない部屋。当社の職人は塗装前の作業を行っております。当社の炭化ケイ素の純度は99.98%に達し、SICコーティングの純度は99.9995%以上です。.
洗浄中の生の炭化ケイ素パドルと SiC プロセス チューブ
炭化ケイ素ウェーハボート CVD SiC コーティング
