セミセラ誇らしげに提供しますGa2O3エピタキシー、パワーエレクトロニクスとオプトエレクトロニクスの限界を押し広げるために設計された最先端のソリューションです。この高度なエピタキシャル技術は、酸化ガリウム (Ga) のユニークな特性を活用しています。2O3) 要求の厳しいアプリケーションで優れたパフォーマンスを実現します。
主な特徴:
• 非常に広いバンドギャップ: Ga2O3エピタキシー超広いバンドギャップを特徴とし、高電力環境でのより高い降伏電圧と効率的な動作を可能にします。
•高い熱伝導率：エピタキシャル層は熱伝導性に優れており、高温条件下でも安定した動作が得られるため、高周波デバイスに最適です。
•優れた素材品質: 欠陥を最小限に抑えながら高い結晶品質を実現し、特にパワー トランジスタや UV 検出器などの重要なアプリケーションにおいて、最適なデバイス性能と寿命を保証します。
•アプリケーションの多様性: パワーエレクトロニクス、RF アプリケーション、オプトエレクトロニクスに最適で、次世代の半導体デバイスの信頼できる基盤を提供します。
の可能性を発見するGa2O3エピタキシーSemicera の革新的なソリューションを活用してください。当社のエピタキシャル製品は、最高の品質と性能基準を満たすように設計されており、デバイスが最大の効率と信頼性で動作できるようにします。最先端の半導体技術ならセミセラをお選びください。
| アイテム | 生産 | 研究 | ダミー |
| クリスタルパラメータ | |||
| ポリタイプ | 4H | ||
| 面方位エラー | <11-20 >4±0.15° | ||
| 電気的パラメータ | |||
| ドーパント | n型窒素 | ||
| 抵抗率 | 0.015～0.025Ω・cm | ||
| 機械的パラメータ | |||
| 直径 | 150.0±0.2mm | ||
| 厚さ | 350±25μm | ||
| プライマリフラット方向 | [1-100]±5° | ||
| 一次平坦長さ | 47.5±1.5mm | ||
| 二次フラット | なし | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
| 弓 | -15μm～15μm | -35μm～35μm | -45μm～45μm |
| ワープ | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| 表面(Si面)粗さ(AFM) | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 構造 | |||
| マイクロパイプ密度 | <1ea/cm2 | <10ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| 金属不純物 | ≤5E10原子/cm2 | NA | |
| 境界性パーソナリティ障害 | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| フロント品質 | |||
| フロント | Si | ||
| 表面仕上げ | Si面CMP | ||
| 粒子 | ≤60ea/ウェーハ (サイズ≧0.3μm) | NA | |
| 傷 | ≤5ea/mm。累積長さ ≤ 直径 | 累積長さ≤2*直径 | NA |
| オレンジの皮/穴/汚れ/縞模様/ひび割れ/汚染 | なし | NA | |
| エッジ欠け/圧痕/欠損/六角プレート | なし | ||
| ポリタイプ領域 | なし | 累積面積≤20% | 累積面積≤30% |
| 前面レーザーマーキング | なし | ||
| バック品質 | |||
| 裏面仕上げ | C面CMP | ||
| 傷 | ≤5ea/mm、累積長さ≤2*直径 | NA | |
| 裏面欠陥（エッジ欠け/凹み） | なし | ||
| 裏面粗さ | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 背面のレーザーマーキング | 1mm（上端から） | ||
| 角 | |||
| 角 | 面取り | ||
| 包装 | |||
| 包装 | 真空包装でエピ対応可能 マルチウエハカセットパッケージング | ||
| ※注：「NA」は要望なしを意味します。 記載のない項目についてはSEMI-STDを参照している可能性があります。 | |||
