GaAs基板は導電性基板と半絶縁性基板に分けられ、レーザー（LD）、半導体発光ダイオード（LED）、近赤外レーザー、量子井戸高出力レーザー、高効率ソーラーパネルなどに広く使用されています。レーダー、マイクロ波、ミリ波または超高速コンピュータおよび光通信用の HEMT および HBT チップ。ワイヤレス通信、4G、5G、衛星通信、WLAN 用の高周波デバイス。
最近では、ガリウムヒ素基板はミニLED、マイクロLED、赤色LEDでも大きな進歩を遂げており、AR/VRウェアラブルデバイスにも広く使用されています。
| 直径 | 50mm |75mm |100mm |150mm |
| 成長方法 | レック液封直拉法 |
| ウェーハの厚さ | 350μm～625μm |
| オリエンテーション | <100> / <111> / <110> またはその他 |
| 導電性タイプ | P型 / N型 / 半絶縁 |
| 種類/ドーパント | Zn / Si / アンドープ |
| キャリア濃度 | 1E17～5E19cm-3 |
| 室温での抵抗率 | SI の場合は ≥1E7 |
| 可動性 | ≥4000 |
| EPD(エッチピット密度) | 100~1E5 |
| TTV | ≤ 10μm |
| ボウ/ワープ | ≤ 20μm |
| 表面仕上げ | DSP/SSP |
| レーザーマーク |
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| 学年 | エピ研磨グレード/メカニカルグレード |
