セミセラが誇りを持ってご紹介するのは、Ga2O3基板、パワーエレクトロニクスとオプトエレクトロニクスに革命をもたらす準備ができている最先端の材料です。酸化ガリウム (Ga2O3) 基板超ワイドバンドギャップで知られており、高出力および高周波デバイスに最適です。
主な特徴:
• 超広バンドギャップ: Ga2O3 は約 4.8 eV のバンドギャップを備えており、シリコンや GaN などの従来の材料と比較して、高電圧および高温への対応能力が大幅に向上しています。
• 高降伏電圧: 例外的な降伏フィールドにより、Ga2O3基板高電圧動作を必要とするデバイスに最適であり、より優れた効率と信頼性を保証します。
• 熱安定性: この材料の優れた熱安定性により、極限環境での用途に適しており、過酷な条件下でも性能を維持します。
• 多用途用途: 高効率パワー トランジスタ、UV オプトエレクトロニクス デバイスなどでの使用に最適で、高度な電子システムに堅牢な基盤を提供します。
Semicera の半導体技術の未来を体験してくださいGa2O3基板。高出力および高周波エレクトロニクスの増大する需要を満たすように設計されたこの基板は、性能と耐久性の新たな基準を打ち立てます。 Semicera を信頼して、最も困難なアプリケーション向けの革新的なソリューションを提供してください。
| アイテム | 生産 | 研究 | ダミー |
| クリスタルパラメータ | |||
| ポリタイプ | 4H | ||
| 面方位エラー | <11-20 >4±0.15° | ||
| 電気的パラメータ | |||
| ドーパント | n型窒素 | ||
| 抵抗率 | 0.015～0.025Ω・cm | ||
| 機械的パラメータ | |||
| 直径 | 150.0±0.2mm | ||
| 厚さ | 350±25μm | ||
| プライマリフラット方向 | [1-100]±5° | ||
| 一次平坦長さ | 47.5±1.5mm | ||
| 二次フラット | なし | ||
| TTV | ≤5μm | ≤10μm | ≤15μm |
| LTV | ≤3μm(5mm*5mm) | ≤5μm(5mm*5mm) | ≤10μm(5mm*5mm) |
| 弓 | -15μm～15μm | -35μm～35μm | -45μm～45μm |
| ワープ | ≤35μm | ≤45μm | ≤55μm |
| 表面(Si面)粗さ(AFM) | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 構造 | |||
| マイクロパイプ密度 | <1ea/cm2 | <10ea/cm2 | <15 ea/cm2 |
| 金属不純物 | ≤5E10原子/cm2 | NA | |
| 境界性パーソナリティ障害 | ≤1500 ea/cm2 | ≤3000 ea/cm2 | NA |
| TSD | ≤500 ea/cm2 | ≤1000 ea/cm2 | NA |
| フロント品質 | |||
| フロント | Si | ||
| 表面仕上げ | Si面CMP | ||
| 粒子 | ≤60ea/ウェーハ (サイズ≧0.3μm) | NA | |
| 傷 | ≤5ea/mm。累積長さ ≤ 直径 | 累積長さ≤2*直径 | NA |
| オレンジの皮/穴/汚れ/縞模様/ひび割れ/汚染 | なし | NA | |
| エッジ欠け/圧痕/欠損/六角プレート | なし | ||
| ポリタイプ領域 | なし | 累積面積≤20% | 累積面積≤30% |
| 前面レーザーマーキング | なし | ||
| バック品質 | |||
| 裏面仕上げ | C面CMP | ||
| 傷 | ≤5ea/mm、累積長さ≤2*直径 | NA | |
| 裏面欠陥（エッジ欠け/凹み） | なし | ||
| 裏面粗さ | Ra≦0.2nm (5μm*5μm) | ||
| 背面のレーザーマーキング | 1mm（上端から） | ||
| 角 | |||
| 角 | 面取り | ||
| 包装 | |||
| 包装 | 真空包装でエピ対応可能 マルチウエハカセットパッケージング | ||
| ※注：「NA」は要望なしを意味します。 記載のない項目についてはSEMI-STDを参照している可能性があります。 | |||
