説明
Semicera GaN エピタキシー キャリアは、現代の半導体製造の厳しい要求を満たすよう細心の注意を払って設計されています。高品質の素材と精密エンジニアリングを基盤としたこのキャリアは、その卓越したパフォーマンスと信頼性により際立っています。化学蒸着 (CVD) 炭化ケイ素 (SiC) コーティングの統合により、優れた耐久性、熱効率、保護が確保され、業界の専門家に好まれる選択肢となっています。
主な特長
1. 優れた耐久性GaN エピタキシー キャリア上の CVD SiC コーティングにより、耐摩耗性が向上し、動作寿命が大幅に延長されます。この堅牢性により、要求の厳しい製造環境でも一貫したパフォーマンスが保証され、頻繁な交換やメンテナンスの必要性が軽減されます。
2. 優れた熱効率熱管理は半導体製造において非常に重要です。 GaN エピタキシャル キャリアの高度な熱特性により、効率的な熱放散が促進され、エピタキシャル成長プロセス中に最適な温度条件が維持されます。この効率により、半導体ウェーハの品質が向上するだけでなく、全体的な生産効率も向上します。
3. 保護機能SiC コーティングは、化学腐食や熱衝撃に対して強力な保護を提供します。これにより、製造プロセス全体を通じてキャリアの完全性が確実に維持され、繊細な半導体材料が保護され、製造プロセス全体の歩留まりと信頼性が向上します。
技術仕様:
用途：
Semicorex GaN エピタキシー キャリアは、以下を含むさまざまな半導体製造プロセスに最適です。
・GaNエピタキシャル成長
• 高温半導体プロセス
• 化学蒸着 (CVD)
• その他の高度な半導体製造アプリケーション
